MOS管门极驱动电路及MOSFET驱动简洁计较-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-01-27
MOS管门极驱动电路：（1)间接驱动
电阻R1的感化是限流和按捺寄生振荡，普通为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时供给放电回路的;稳压二极管D1和D2是掩护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加快MOS的关断。
（2)互补三极管驱动
当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输入的PWM旌旗灯号缺乏已驱动MOS管时，加互补三极管来供给较大的驱动电流来驱动MOS管。
PWM为高电日常平凡，三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电日常平凡，三极管Q2导通，加快MOS管的关断;电阻R1和R3的感化是限流和按捺寄生振荡，普通为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时供给放电回路的;二极管D1是加快MOS的关断。
（3)耦合驱动(操纵驱动变压器耦合驱动)
MOS管门极驱动电路：当驱动旌旗灯号和功率MOS管不共地或MOS管的源极浮地的时辰，比方Buck变更器或双管正激变更器中的MOS管，操纵变压器停止耦合驱动如图:
驱动变压器的感化:
1.处理驱动MOS管浮地的题目;
2.处理PWM旌旗灯号与MOS管不共地的题目;
3.一个驱动旌旗灯号能够分红两个驱动旌旗灯号;
4.削减搅扰。
开关电源任务频次已选定为50kHz，用半桥电路。半个周期是10us，每一个开关管斟酌死区时候最多导通9us。
9us的导通时间，回升或降落的时候不管若何不能跨越1us，不然处于线性区的时候占比例太大，效力会比拟低。若是开关电源任务频次更高，回升降落的时候还要削减，换句话说，须要更快一些，能够只许可0.2us。
选定一MOS管,材料里Qg(tot)=130nc，Ciss=2000pF，Coss=400pF ,tr=66ns。看datasheet里有条Basic Gate Charge Wavefoum曲线。该曲线先回升然后几近程度再回升。程度那段是管子守旧(米勒效应)。
但愿在0.2us内使管子守旧，估量总时间(先回升而后程度再回升)为0.4us。由Qg(tot)= 130nC和0.4us便可得: 130nC/0.4us =0.325A。
这是峰值，仅在管子守旧和关断的各0.2us里有电流，别的时候几近没有电流，均匀值很小。但不能输入这个峰值，管子守旧就会变慢。
这是仿真MOSFET在现实操纵的尝试简化图，变动R1能够更改MOSFET的驱动，回升降落速率。
左图R1为100R的栅极驱动电压和漏极电流波形，栅极电压tf= 1.223uS,tr=863.2nS。如图是与之绝对应的漏源电压和漏极电流波形,漏极电流tf=101.5nS，导通时候t=137uS。
左图R1为10R的栅极驱动电压和漏极电流波形，栅极电压tf=195.3nS,tr=105.5nS。
右图是与之绝对应的漏源电压和漏极电流波形,漏极电流tf=72.3nS,导通时候t=137uS。
转变R1的巨细，能转变驱动回升与降落时候,R1越小，栅极驱动电流越大，回升降落都变陡;反之，则越斜。
R1的转变对MOSFET的漏极电流降落时候和漏源电压回升时候影响较大。
在情况温度为30℃前提下，老化到MOSFET温度不变，R1为100R时壳温86℃，R1为10R时为76℃,由此标明，漏极电流降落时候对开关消耗影响较大，R1=10R时开关消耗削减。
在R1为10R时，感到的电压较高，EMI也会稍大。
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