对MOS管coss发生消耗的图文阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-01-19
功率MOS管Coss会发生开关消耗，在一般的硬开关进程中，关断时VDS的电压回升，电流ID对Coss充电，贮存能量。
在MOS管守旧的进程中，因为VDS具备必然的电压，那末Coss中储能的能量将会经由进程MOSFET放电，发生消耗。
很多材料中，实际的Coss放电发生的消耗为：
从上式能够看到，Coss放电发生的消耗和容值、频次成反比，和电压的平方成反比。在功率MOSFET的数据表中，Coss对应发生的功耗便是Eoss。
一些低输出电压的利用，如条记本电脑主板的Buck变更器输出电压为19V，通信体系板极Buck变更器输出电压为12V，因为任务电压比拟低，Coss发生的消耗较小，绝对逾越线性区发生的开关消耗凡是能够疏忽不计，是以在高压功率MOSFET的数据表中，凡是不会列出Eoss。
经常利用的ACDC变更器如Flyback布局的电源体系，输出的电压规模为100-380VDC，乃至更高的输出电压，Coss发生的消耗所占的比例很是大，乃至成为主导身分，是以在高压功率MOSFET的数据表中，列出Eoss的值。今朝有些中压的功率MOSFET的数据表中也列出了Eoss的值。
功率MOSFET的电容特征长短线性的，Coss容值会跟着VDS电压变更，是以基于Coss的Eoss也长短线性的，以下图所示。是以，如本文起头局部，间接利用传统电容储能的公式电容的放电消耗是不准确的。
Coss曲线的丈量体例后面的文章已先容过，对Coss的曲线积分，能够获得Qoss：
如图2所示，VDS为30V时对应的Qoss便是图中Coss曲线、程度X轴、VDS=30V垂直线和垂直Y轴所包围的面积。在差别的电压下获得差别的Qoss，就能够作出Qoss-VDS曲线。
那末若何获得Eoss？能否按照Qoss-VDS的曲线，再对Qoss积分，就能够获得Eoss？
电容Coss随VDS电压变更，差别的电压下容值差别，是以不能利用下面积分的体例来计较Eoss。
斟酌到电容Coss随VDS电压变更，为了计较VDS-Eoss曲线，VDS电压从0起头，利用小的电压增幅距离，比方：0.5V、1V、1.5V、2V、2.5V、3V、3.5V、。。。60V，在差别的电压下能够获得响应的电容值。
当电压从VDS(n)增添到VDS(n+1)时，比方从1V增添到1.5V，增添的Qoss能够由下式计较：
利用上述体例，计较的AON6162的VDS-Eoss曲线如图4所示。
上述体例中有一些偏差，分度越细，偏差越小。
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