电路常识|若何避免反向电流侵害-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-01-19
反向电流侵害：外加反向电压不跨越必然规模时，经由过程二极管的电流是多数载流子漂移活动所构成反向电流。因为反向电流很小，二极管处于停止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或泄电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
外加反向电压跨越某一数值时，反向电流会俄然增大，这类景象称为电击穿。引发电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。
电击穿时二极管落空单向导电性。若是二极管不因电击穿而引发过热，则单向导电性不必然会被永远粉碎，在撤消外加电压后，其机能仍可规复，不然二极管就破坏了。因此利用时应避免二极管外加的反向电压太高。
在特定电路设置装备摆设下，输出电压偶然能够会高于输出电压。 这将致使反向电流状态，并能够破坏电路。那末，应当若何避免反向电流的侵害?
以下有3种罕见的体例能够避免反向电流——二极管，MOSFET和负载开关 。
二极管
二极管供给最简略且最自制的反向电流掩护体例。 可是，对典范的二极管，二极管上的正向压降将Vcc限定在0.6V-0.8V，并增添了体系的功耗。
能够挑选肖特基二极管以減少正向压降，但它们较高贵，并且有较多的反向电流泄露。
MOSFETS ( MOS管 )
利用以下所示2个MOS管串连的好体例。在MOS管封闭时，能够禁止從两个方向上來的电流。 MOS管的压下降于二极管处理计划，但错误谬误是这类体例须要更多的空间。
负载开关与MOS管一样，负载开关可在封闭时禁止两个方向上的电流。 它们还削减了占空中积和BOM数目。
比方，Texas Instruments 1 的 TPS22963C 负载开关是用于反向电流掩护电路。
在经由过程ON引脚禁用器件并且VOUT被强迫为内部电压后，只要很是少许的电流将从VOUT流向VIN。
这将避免在内部电压的电源上发生任何额定的电流负载。
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