电子电路|IGBT特征曲线具体阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-01-11
通态特征
通态压降：跟着IGBT器件手艺的成长,IGBT的通态压降愈来愈小，从而使其电流密度愈来愈高。
可是注重，器件给出的通态饱和压降是有必然前提的。如GA75TS60U,其饱和压降最大为1.7V,是在Vge=15V,Ic=75A,Tj=25℃前提下得到的。此时器件的通态消耗是:
IGBT特征曲线：可见Vce(on)在现实利用中是个变量,从而使得器件消耗差别。其值与集电极电流Ic,器件结温Tj,和栅极电压有关。请参看图2、图3、图5。负载电流与频次的干系曲线见图1。
通态电流
凡是厂家给出器件外壳温度为情况温度时的最大持续集电极电流,即Tc=25℃时，Ic电流。如CA75TS60U,其在25℃时的最大持续集电极电流为75A,但当器件壳温升至100℃时,其最大持续集电极电流降至60A,参看图4。
器件经由过程电流才能取决于终究器件结温是不是跨越器件所许可的最大结温。为了简化,不斟酌打仗热阻,则结到情况的热阻为:
式中 Pd为器件的消耗,包含通态消耗和开关损耗。
由式(5)知,器件通流才能与器件热阻、散热器热阻、功耗和情况温度有关,参见图6。
器件功耗由通态消耗、断态消耗、守旧消耗和关断消耗构成。通态消耗后面已讲过，断态损耗可以疏忽，守旧消耗和关断消耗则与器件开关速率、驱动器才能、开关电流、开关电压和开关频次有关。与功率场效应管比拟, IGBT的开关速率绝对较慢,其开关消耗占总消耗的50% ~70%。
IGBT特征曲线：参见图1，在电路布局、器件开关电压、电流和结壳温差必然的前提下，器件所通电流的有用值随开关频次的增添而减小。若是请求结壳温差更小，则电流有用值下降。
即跟着开关频次的增添，开关消耗也增添，引起结温升高。为了坚持结温稳定，必须下降开关电流。
可见，不能简略地界说IGBT模块能通多大的电流。若是在设想当挑选了1个开关速率快、通态压降小、芯片面积大的IGBT模块，用于较小的电流下运转，从传统的电流界说看，仿佛丧失较大，但你将得到的是低的功率消耗、小的散热器体积(一样结温下)、低的运转温度和高靠得住性(一样散热器下)。是以，应矫捷利用IGBT模块和综合评估一个设想的黑白。
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