MOS管缓启动电路道理详解分享-KIA MOS管

MOS管缓启动电路道理

MOS管缓启动电路：虽然MOSFEI在开关电源、机电节制等一些电子体系中获得普遍的利用，可是很多电子工程师并不;很是清晰的懂得MOSFET开关进程，和MOSFET在开关进程中所处的状况。

普通来讲，电子工程师凡是基于栅极电荷懂得MOSFET的守旧的进程，如图1所示。此图在MOSFET数据表中能够查到。

MOSFET的D和S极加电压为VDD,当驱动守旧脉冲加到MOSFET的G和S极时，输出电容Ciss充电，G和S极电压Vgs线性回升并到达门坎电压VGS(th)，Vgs回升到VGS(th)之前漏极电流Id≈0A，不漏极电流流过，Vds 的电压坚持VDD稳定。

当Vgs到达VGS(th)时，漏极起头流过电流Id，而后Vgs持续回升，Id 也逐步回升，Vds 依然保持VDD。当Vgs到达米勒平台电压VGS(p1)时，Id也回升到负载电流最大值ID,Vds的电压起头从VDD降落。

米勒平台时代，Id电流保持ID，Vds电压不时降落。米勒平台竣事时辰，Id电流依然保持ID, Vds 电压降落到一个较低的值。米勒平台竣事后，Id电流仍然保持ID, Vds 电压持续降落，但此时降落的斜率很小，是以降落的幅度也很小，最初稳定在Vds=IdxRds(on)。

是以凡是能够以为米勒平台竣事后MOSFET根基上已导通。对上述的进程，懂得难点在于为甚么在米勒平台区，Vgs 的电压恒定?驱动电路依然对栅极提供驱动电流，依然对栅极电容充电，为甚么栅极的电压不回升?

并且栅极电荷特征对抽象的理解MOSFET的守旧进程并不直观。是以，上面将基于漏极导通特征懂得MOSFET守旧进程。

MOS管缓启动电路：MOSFET的漏极导通特征与开关进程MOSFET的漏极导通特征如图2所示。MOSFET与三极管一样，当MOSFET利用于缩小电路时，凡是要利用此曲线研讨其缩小特征。只是三极管利用的基极电流、集电极电流和缩小倍数，而MOSFET利用栅极电压、漏极电流和跨导。

三极管有三个任务区:停止区、缩小区和饱和区，MOSFET对应是关断区、恒流区和可变电阻区。

注意:MOSFET恒流区偶然也称饱和区或缩小区。当驱动守旧脉冲加到MOSFET的G和S极时，Vgs的电压逐渐下降时，MOSFET的守旧轨迹A-B-C-D如图3中的线路所示。

守旧前，MOSFET肇端任务点位于图3的右下角A点，AOT460的VDD电压为48V，Vgs的电压逐步下降，Id电流为0, Vgs的电压到达VGS(th)，Id 电流从0起头逐步增大。

A-B便是Vgs的电压从VGS(th)增添到VGS(p1)的进程。从A到B点的进程中，能够很是直观的发明，此进程任务于MOSFET的恒流区，也便是Vgs电压和Id电流主动找平衡的进程，即Vgs电压的变化伴跟着Id电流响应的变更，其变更干系便是MOSFET的跨导: Gfs=Id/Vgs， 跨导能够在MOSFET数据表中查到。

当Id电流到达负载的最大许可电流ID时，此时对应的栅级电压Vgs(p1)ID/gFS。因为此时Id电流恒定，是以栅极Vgs电压也恒定稳定，见图3中的B-C,此时MOSFET处于相对稳定的恒流区，任务于缩小器的状况。

守旧前，Vgd的电压为Vgs-Vds,为负压，进入米勒平台，Vgd的负电压相对值不时降落，过0后转为正电压。驱动电路的电流绝大局部流过CGD,以打扫米勒电容的电荷，是以栅极的电压根基维持稳定。

Vds电压降落到很低的值后，米勒电容的电荷根基上被打扫，即图3中的C点，因而，栅极的电压在驱动电流的充电下又起头下降，如图3中的C-D,使MOSFET进一步完整导通。

C-D为可变电阻区，响应的Vgs电压对应着必然的Vds电压。Vgs电压到达最大值，Vds 电压到达最小值，因为Id电流为ID恒定，是以Vds的电压即为ID和MOSFET的导通电阻的乘积。

基于MOSFET的漏极导通特征曲线能够直观的懂得MOSFET守旧时，逾越关断区、恒流区和可变电阻区的进程。米勒平台即为恒流区，MOSFETI作于缩小状况，Id电流为Vgs电压和跨导乘积。

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