MOS管的宽长比|沟道宽长比根基观点-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-12-25
宽长比是MOS管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS管的 Id 就越大，也便是宽长比与 Id 成反比。详细公式能够查阅材料。
电流镜的 Id 比例是 1：2，那末两个 MOS 管的宽长比的比（注重是两个宽长比的比）应当也是 1：2，因为如上所述 Id 与宽长比成反比。以是若是 MOS1的宽长比为 10，那末MOS2的宽长比应当为 20，以此类推。
若是只是用来做驱动的话，按照负载才能肯定宽长比。若是前级的驱动才能较小，同时有请求较高的速率，倡议该级长和宽取小点。
若是是用来驱动后一级电路，宽长比首要看后级负载巨细，负载大，宽长比大，比方说前面有很长的数据线或接了良多的负载。普通来讲，nmos管的宽长比为pmos的1/3。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconbaictor)场效应晶体管，或称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是能够对换的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在大都环境下，这个两个区是一样的，即便两头对换也不会影响器件的机能。如许的器件被以为是对称的。
沟道宽长比，是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个根基观点。沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。是因为外加电场引发的沿长度标的目的的导电层。
以下图所示：
MOS督工作在非饱区时，I-V特征曲线公式类似为：
是以，沟道宽长比对MOS管来讲长短常首要的一个参数目标。宽长比越大，MOS管的 饱和电流(Idsat)就越大，机能就越好。
在数字后端中，沟道的宽长比也表现在单位库上。当沟道长度L不异时，差别的沟道宽度会形成cell的差别高度，咱们凡是说的7 Track, 9 Track便是代表差别的沟道宽度，沟道宽度越大，速率也越快，功耗也越大；
当沟道宽度W不异时，差别的沟道长度L也会形成cell的速率差别，咱们凡是看到的cell名字里的C14,C16便是代表差别的沟道长度。L越小，速率也越快，功耗也大。
当mos管用做开关时，宽长比越大切换速率是越快仍是越慢呢?
当开关管的宽长比从小变到大时，先是导通电阻首要影响切换速率，寄生电容影响不大。导通电阻随宽长比的增大而减小，切换速率也愈来愈快。
而后到了一个阈值后，导通电阻不随宽长比的增大而减小了，寄生电容起头影响切换速率，跟着宽长比的增大寄生电容增大，切换速率就变慢了。
若是接大负载电容，Cp能够疏忽，那末电阻为主；若是接小负载电容，要统筹Ron和Cp，就用后仿。
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