MOS管双领导通及正、反领导通利用剖析-KIA MOS管

MOS管双领导通

MOS管是常常利用的电子元器件,常常被用作功率开关来利用,如用在可控整流电路中、用作控制直流负载回路的通断等。MOS管因为工 艺的缘由,会存在寄生/体二极管,以是会存在双向导通的题目。

MOS管的D、S极之间存在寄生二极管,被称为体二极管。从MOS管的布局表示也能够看出寄生二极管的存在,以下图:

寄生二极管是由出产工艺构成的, MOS管的漏极从硅片底片引出,从而发生了寄生的二极管。

寄生二极管能够起到以下两个感化:

防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也能够在电路有反向感生电压时,为反向感生电压供给通路,防止反向感生电压击穿MOS管。

综上,功率型MOS管因为出产工艺的缘由,其内部存在寄生二极管,也称体二极管,当将反向电压作用于D、S极时,其寄生二极管会反领导通。在MOS管开关刹时时,比方接纳MOS管完成的桥式驱动电路中,寄生二极管可用导通反向电流,防止反向高压击穿MOS管。

MOS管和三极管差别,是能够反领导通的。

MOS管有三个脚,栅极(G)、 漏极(D)和源极(S)。此中栅极(G)为导通的节制弓|脚。 MOS分为N沟道和P沟道两种。MOS管导通时,电流能够从漏极(D)流向源极(S) ,电流也能够从源极(S)流向漏极(D)。

MOS管导通阐发

在加强型MOS中,漏极(D)和源极(S)之间会有-个背靠着的PN结,栅极(G)不施加电压时,总会有一个PN结反偏，导通不了。当在栅极(G)施加电压后,栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会发生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。

氧化物层双方构成一个电容,门极电压即是对电容充电,受电压吸收,电容另外一边堆积大批电子，构成导电沟道, MOS管起头导通,电流能够从漏极(D)流向源极(S) ,也能够从源极(S)流向漏极(D)。

MOS管的导通标的目的

MOS能够分为NMOS和PMOS。二者在利用的时辰,其电流标的目的是不一样的。NMOS寄生二极管的正极在S源极上,负极在漏极D上,看成开关利用时电流ID的标的目的由漏极D指向源极S。

而PMOS寄生二极管的正极在漏极D上,负极在源极S上,看成开关利用时电流由源极S指向漏极D。

上图是NMOS和PMOS的电路标记和电流的标的目的, MOS在直流电路中利用的时辰必然要注重电流的方向。电流标的目的与寄生二极管的标的目的是相反的。

MOS管反领导通的利用

电源防反接电路能够经由过程二极管/整流桥来完成,可是会带来电压降,对高压而言不合用。MOS管也能够用作电源的防反接。上面以PMOS防反接为例来讲授。PMOS防反接电路表示图以下图所示。

电源反接时, G为电平, UGS>0 ,以是PMOS不导通;电源正接时, G为低电平,因为寄生二极管的存在,以是S的电平是V-0.7 ,以是UGS<0,电路导通,一般任务。

利用NMOS也能够完成电源防反接。在利用时必须要注重: PMOS要放在高边; NMOS要放在低边。

MOS管正、反领导通利用

充电宝大师都用过吧?有一种充电宝只要一个接口 ,充电和放电共用这个接口，它会自辨认拔出的是充电器仍是手机，接上充电器时,主动对充电宝停止充电;接上手机时,主动切换为放电,对手机停止充电。

这种设想就须要用到MOS的双领导通特征了, 充电时,电流从MOS的源极(S)流向漏极(D) ,放电时,电流从漏极(D)流向源极(S)。

MOS管驱动电路

MOS是电压驱动型器件,驱动电压知足它的门极开启电压( Vgs )就能够让它导通。

N沟道MOS管: DR为高电日常平凡导通；P沟道MOS管: DR为低电日常平凡导通。

在设想MOS驱动电路时,一定要注重它的门极开启电压( Vgs)。若是门极驱动电压缺乏,会致使MOS导通不完整,内阻增大,发烧量增添。

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