MOS管等效模子及高频小旌旗灯号等效电路分解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-12-21
MOS管比拟于三极管，开关速率快，导通电压低，电压驱动简略，以是愈来愈受工程师的喜好，可是，若不妥设想，哪怕是小功率MOS管，也会致使芯片烧坏，本来想着更简略的，最初变得更加庞杂。本文作经历总结一番，构成实际等效模子。
MOS管等效电路及利用电路以下图所示：
把MOS管的微观模子叠加起来，就以下图所示：
MOS管的输出与输出是相位相反，刚好180度，也便是等效于一个反相器，也可以或许懂得为一个反相任务的运放；
以下图：
有了以上模子，就好办了，特别从运放这张图中，可以或许一眼看出，这便是一个反相积分电路，当输出电阻较大时，开关速率比拟迟缓，Cgd这颗积分电容影响不较着，可是当开关速率比拟高，并且VDD供电电压比拟高，比方310V下，经由进程Cgd的电流比拟大，强的积分很轻易引发振荡，这个振荡叫米勒振荡。
以是Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或关断的那段时候，也就是积分那段时候，叫米勒平台，以下图圆圈中的那局部为米勒平台，右侧的是振荡严峻的米勒振荡：
由于MOS管的反应引入了电容，当这个电容充足大，并且前段旌旗灯号变更快，后端供电电压高，三者连系起来，就会引发积分过充振荡，这个等价于温控的PID中的I模子；
要想处理处理这个米勒振荡，在频次和电压稳定的环境下，普通可以或许进步MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速率，其次比拟有用的体例是增添Cgs电容。在前提许可的环境下，可以或许在Cds之间并上低内阻抗打击的小电容，或用RC电路来做接收电路。
下图是经常使用的三颗大功率MOS管的电容值：LCR电桥间接丈量
从图上可以或许看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管机能远远不如碳化硅机能，它的各个目标都很小，当米勒振荡经由进程其余手腕没法下降时，可以或许斟酌改换更小的米勒电容MOS管，特别须要正视Cgd要尽可以或许的小于Cgs。
在高频利用时，MOS管的散布电容就不能忽视，即在斟酌高频相同小旌旗灯号功课时有须要斟酌MOS管的散布电容对电路功效的影响，以是MOS管的高频小旌旗灯号等效电路可以或许在其低频小旌旗灯号等效电路的根本上参与MOS管的极间电容实现，如图所示。
由于在差别功课状态（停止、饱满、线性）时MOS管的散布电容值差别，因此若停止具体的核算比拟坚苦，但可以或许颠末软件仿照停止分解。别的，在高频电路中有须要注重其功课频次受MOS管的最高功课频次的束缚（即电路的任务频次，如高于MOS管的最高功课频次时，电路不能一般任务）。
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