对MOS管反峰及RCD接收回路的具体阐发-KIA MOS管

MOS管反峰及RCD接收回路

对开关电源工程师来讲,在一对或多对彼此对峙的前提眼前做出挑选,那是常有的事。而咱们明天会商的这个话题便是一对彼此对峙的前提。（即要限定主MOS管最大反峰,又要RCD接收回路功耗最小）

在会商前咱们先做几个假定：

① 开关电源的任务频次规模:20~200KHZ;

② RCD中的二极管正向导通时候很短（普通为几十纳秒）;

③ 在调剂RCD回路前主变压器和MOS管,输出线路的参数已完整肯定。

有了以上几个假定咱们便能够进步前辈行计较：

一﹑起首对MOS管的VD停止分段：

1.输出的直流电压VDC;

2.次级反射低级的VOR;

3.主MOS管VD余量VDS;

4.RCD接收有用电压VRCD1。

二﹑对以上主MOS管VD的几局部停止计较：

1.输出的直流电压VDC。

在计较VDC时,是依最高输出电压值为准。如宽电压应挑选AC265V,即DC375V。

VDC＝VAC *√2

2.次级反射低级的VOR。

VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计较的,如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计较）,二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的材料中查找额外电流下VF值）。

VOR＝(VF　 Vo)*Np/Ns

3.主MOS管VD的余量VDS．

VDS是依MOS管VD的10%为最小值。如KA05H0165R的VD=650应挑选DC65V。

VDC＝VD* 10%

4.RCD接收VRCD。

MOS管的VD减去1,3 三项就剩下VRCD的最大值。现实拔取的VRCD应为最大值的90%（这里首要是斟酌到开关电源各个元件的分离性,温度漂移和时候飘移等身分得影响）。

VRCD＝(VD-VDC-VDS)*90%

注重：

① VRCD是计较出现实值,再经由过程尝试停止调剂,使得现实值与现实值相符合。

② VRCD必须大于VOR的1.3倍。（若是小于1.3倍,则主MOS管的VD值挑选就太低了）。

③ MOS管VD该当小于VDC的2倍。（若是大于2倍,则主MOS管的VD值就过大了）。

④ 若是VRCD的实测值小于VOR的1.2倍,那末RCD接收回路就影响电源效力。

⑤ VRCD是由VRCD1和VOR构成的。

ⅴ,RC时候常数τ肯定。

τ是依开关电源任务频次而定的,普通挑选10~20个开关电源周期。

三﹑实验调剂VRCD值

起首假定一个RC参数,R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电,应遵守先高压后高压,再由轻载到重载的准绳。在实验时该当周密谛视RC元件上的电压值,务必使VRCD小于计较值。如发明到达计较值,就该当当即断电,待将R值减小后,反复以上实验。

（RC元件上的电压值是用示波器察看的,示波器的地接到输出电解电容“＋”极的RC一点上,测试点接到RC另外一点上）。一个适合的RC值该当在最高输出电压,最重的电源负载下,VRCD的实验值即是现实计较值。

四﹑实验中值得注重的景象

输出电网电压越低VRCD就越高,负载越重VRCD也越高。那末在最低输出电压,重负载时VRCD的实验值若是大于以上现实计较的VRCD值,是不是和（三）的内容相抵触哪？

一点都不抵触,现实值是在最高输出电压时的计较成果,而此刻是低输出电压。重负载是指开关电源能够到达的最大负载。首要是经由过程实验测得开关电源的极限功率。

五﹑RCD接收电路中R值的功率挑选

R的功率挑选是依实测VRCD的最大值,计较而得。现实挑选的功率应大于计较功率的两倍。

结语：RCD接收电路中的R值若是太小,就会下降开关电源的效力。但是,若是R值若是过大,MOS管就存在着被击穿的风险。

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