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100V160A掩护板公用|KNX2710A规格书概况|优良品牌-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2020-12-07 

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100V160A掩护板公用|KNX2710A规格书概况|优良品牌-KIA MOS管


100V160A,N沟道MOSFET,100%雪崩测试

100V160A掩护板公用-产物特色

专有新沟槽手艺

RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V

低栅极电荷使开关消耗最小化

快规复体二极管


100V160A掩护板公用-产物首要参数

型号:KNX2710A

任务体例:160A/100V

漏源电压:100V

栅极到源极电压:±20V

延续泄电流:160A/80A/120A

脉冲泄电流在VGS=10V:640A

单脉冲雪崩能量:1200MJ

峰值二极管规复dv/dt:5.0V/ns

功耗:333W

漏源击穿电压:100V

输入电容:8000pF

反向转移电容:950pF

输入电容:760pF


100V160A掩护板公用-封装图


100V160A掩护板公用


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KIA专一于产物的邃密化与改革,力图为客户供给最具行业抢先、品德上乘的科技产物。


100V160A掩护板公用


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