MOS管掩护电路|MOSFET栅源掩护常识分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-12-01
MOSFET栅源掩护：功率MOS管本身具备浩繁长处，可是MOS管具备较懦弱的蒙受短时过载才能，出格是在高频的利用场所，以是在利用功率MOS管对必须为其设想公道的掩护电路来进步器件的靠得住性。
MOSFET栅源掩护-功率MOS管掩护电路首要有以下几个方面：
1.避免栅极 di/dt 太高
由于接纳驱动芯片，其输入阻抗较低，间接驱动功率管会引发驱动的功率管疾速的守旧和关断，有能够造胜利率管漏源极间的电压震动，或有能够造胜利率管蒙受太高的 di/dt 而引发误导通。
为避免上述景象的发生，凡是在 MOS 驱动器的输入与 MOS 管的栅极之间串连一个电阻，电阻的巨细普通拔取几十欧姆。
2.避免栅源极间过电压
由于栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压渐变会经由过程极间电容耦合到栅极而发生相称高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很轻易堆集电荷也会使栅源氧化层击穿，以是要在 MOS 管栅极并联稳压管以限定栅极电压在稳压管稳压值以下，掩护 MOS 管不被击穿，MOS管栅极并联电阻是为了开释栅极电荷，不让电荷堆集。
3.防护漏源极之间过电压
固然漏源击穿电压 VDS 普通都很大，但若是漏源极不加掩护电路，一样有能够由于器件开关刹时电流的渐变而发生漏极尖峰电压，进而破坏MOS管，功率管开关速率越快，发生的过电压也就越高。
为了避免器件破坏，凡是接纳齐纳二极管钳位和 RC 缓冲电路等掩护办法。
MOSFET栅源掩护：
当电流过大或发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会敏捷增添并跨越额外值，必须在过流极限值所划定的时候内关断功率 MOS 管,不然器件将被烧坏，是以在主回路增添电流采样掩护电路，当电流达到必然值，经由过程掩护电路封闭驱动电路来掩护MOS管。
下图是MOS管的掩护电路，由此能够清晰的看出掩护电路的功效。
MOS管的栅极和源极之间的电阻：
一是为场效应管供给偏置电压；二是起到泻放电阻的感化：掩护栅极G-源极S；
掩护栅极G-源极S：
场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，如许只需有少许的静电就可以使他的G-S极间的等效电容两头发生很高的电压，若是不实时把这些少许的静电泻放掉，两头的高压就有能够使场效应管发生误举措，乃至有能够击穿其G-S极；
这时候栅极与源极之间加的电阻就可以把上述的静电泻放掉，从而起到了掩护场效应管的感化。
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