单片机驱动MOS管电路图道理及因素-KIA MOS管

单片机驱动MOS管电路图道理

单片机驱动MOS管电路图：先领会一下单片机驱动mos管电路图及道理，单片机驱动mos管电路首要按照MOS管要驱动甚么工具， 要只是一个继电器之类的小负载的话间接用51的引脚驱动便能够，要注重电感类负载要加掩护二极管和接收缓冲，最好用N沟道的MOS。

若是驱动的工具（功率）很大，（大电流、大电压的场所），最好要做电气断绝、过流超压掩护、温度掩护等~

此时既要断绝传递节制旌旗灯号（比方PWM旌旗灯号），也要给驱动级（MOS管的鞭策电路）传递电能。常用的旌旗灯号传递有PC923、PC929、6N137、TL521等。

至于电能的传递能够用DC-DC模块。MOS管有一种简略的驱动体例：2SC1815+2SA1020，NPN与PNP一个用于MOS开启驱动，一个用于MOS疾速关断。

MOS开关管丧失

MOS管驱动电路不论是NMOS仍是PMOS，导通后都有导通电阻存在，如许电流就会在这个电阻上消耗能量，这局部耗损的能量叫做导通消耗。挑选导通电阻小的MOS管会减小导通消耗。

此刻的小功率MOS管导通电阻普通在几十毫欧摆布，几毫欧的也有。

MOS在导通和停止的时辰，必然不是在刹时实现的。MOS两头的电压有一个降落的进程，流过的电流有一个回升的进程，在这段时辰内，MOS管的丧失是电压和电流的乘积，叫做开关丧失。

凡是开关丧失比导通丧失大良多，并且开关频次越快，丧失也越大。

导通刹时电压和电流的乘积很大，形成的丧失也就很大。延长开关时辰，能够减小每次导通时的丧失；下降开关频次，能够减小单元时辰内的开关次数。这两种体例都能够减小开关丧失。

MOS管驱动

跟双极性晶体管比拟，普通以为使MOS管导通不须要电流，只需GS电压高于必然的值，便能够了。这个很轻易做到，可是，咱们还须要速率。在MOS管的布局中能够看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，现实上便是对电容的充放电。

对电容的充电须要一个电流，由于对电容充电刹时能够把电容当作短路，以是刹时电流会比拟大。挑选/设想MOS管驱动时第一要注重的是可供给刹时短路电流的巨细。

MOS管驱动电路第二注重的是，遍及用于高端驱动的NMOS，导通时须若是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）不异，以是这时辰 栅极电压要比VCC大4V或10V。

若是在统一个体系里，要获得比VCC大的电压，就要特地的升压电路了。要注重的是应当挑选适合的外接电容，以获得充足的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是经常利用的MOS管的导通电压，设想时固然须要有必然的余量。并且电压越高，导通速率越快，导通电阻也越小。

MOS管驱动有哪些?

1.电源IC间接驱动MOSFET

电源IC间接驱动是最经常利用的驱动体例，同时也是最简略的驱动体例，利用这类驱动体例，应当注意几个参数和这些参数的影响。第一，检查一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，由于差别芯片，驱动才能良多时辰是不一样的。

2.图腾柱驱动MOS

若是挑选MOS管寄生电容比拟大，电源IC外部的驱动才能又缺乏时，须要在驱动电路上加强驱动才能，常利用图腾柱电路增添电源IC驱动才能。

这类驱动电路感化在于，晋升电流供给才能，迅速实现对栅极输出电容电荷的充电进程。这类拓扑增添了导通所须要的时辰，可是削减了关断时辰，开关管能疾速守旧且避免回升沿的高频振荡。

3.加快MOS关断

关断刹时驱动电路能供给一个尽能够低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压疾速泄放，保障开关管能疾速关断。

为使栅源极间电容电压的疾速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图所示，此中D1经常利用的是快规复二极管。这使关断时辰减小，同时减小关断时的消耗。Rg2是避免关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

除以上驱动电路以外，另有良多别的情势的驱动电路。对各类百般的驱动电路并不一种驱动电路是最好的，只要连系详细利用，挑选最适合的驱动。

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