甚么是Qg,MOS管Qg的观点剖析-KIA MOS管

MOS管Qg的观点剖析

MOS管Qg观点

Qg(栅极电荷):栅极电荷Qg是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，是指MOS开关完整翻开，Gate极所须要的电荷量。

固然MOS的输出电容,输出电容,在反应电容是一项很是首要的参数,可是这些参数都是一些静态参数。

静态时，Cgd凡是比Cgs小，现实在MOS利用中，当个Gate加上驱动电压后，于Mill效应有关联的Cgd会跟着Drain极电压变更而显现非线性变更，并且其电容值会比Cgs大20倍以上固然Cgs也会跟着Grain-Source电压变更，可是其数值变更不大，凡是会增大10%-15%摆布。以是很难用输入，输出电容来权衡MOS的驱动特征。

1.测试电路和波形

凡是用Qg(栅极电荷)来权衡MOS的驱动特征

如上图1.3（1）在t0-t1时辰,Vgs起头渐渐的回升直到Vgs(th),DS之间电流才起头渐渐回升,同时Cgs起头充电，在此时代Cgd和Cgs比拟能够疏忽;

（2）t1-t2时辰,Cgs一向在充电,在t2时辰，Cgs充电完成,同时Id到达所须要的数值,可是Vds并不降落;

（3）t2-t3时辰，VDS起头降落,Cgs充电实现,并且Vgs一直坚持恒定,此时首要对Cgd充电,此段时候内，Cgd的电容值变大，在t3时辰Cgd充电实现,凡是这个时候要比t1-t2长良多;

（4）在t3-t4时辰,t3时辰Cgd和ICgsE已充电完成，VGS电压起头上.升直到驱动IC的最高直流电压。

以是图1.3中所标识的(Qgd+Qgs)是MOS开关完整翻开所须要的最小电荷量。现实计较Qg的数值为t0-t4时辰所须要的总电荷。

按照Qg能够很轻易计较出MOS管在必然的驱动电流下完整翻开须要的时候，Q=CV，I=C/T，以是Q=IxT。

2. Qg和ID和VDS等的干系

（1）Qg会跟着VDD的增添而增大;

（2）Qg会跟着ID的增添而增大,由于ID对应的Vgs(th)也增添,响应增添了Qg;可是增添的电荷量并不较着

（3）Ciss大的MOS并不表现其Qg就大，跨导是要斟酌的一个因数

MOS管Qg观点-Qg测试

1.测试电路

用旌旗灯号产生器产生60KHz方波,输出到L6386的LIN(PIN1)在LVG(PIN9)和PGND(PIN8)两头产生响应的驱动方波来驱动MOS，MOS的VDS不接电源。此中R2=24Ω。

当R1=56Ω，测试成果以下:

接纳了PCB上的下桥MOS管的电路毗连,图2.1中Isense还接有一0.1Ω的取样电阻到PCB的地。

黄-旌旗灯号产生器到SGND的波形，即LIN处的电压波形;

红-LVG到SGND的波形;

蓝-LVG和PGND之间的电压波形;(差分探棒测试)

绿-MOS的Gate和PGND之间的电压波形;(差分探棒测试)

(1) 红和蓝之间的延时首要是由于探棒的范例不一样所致使，蓝、绿之间就不延时;

(2)在Rg= 80Ω(R1+R2) 时，MOS完整翻开的延时为160nS。

预算Qg_min：Qg_min=VCCxtd/(R1+R2)=15x160/80=30nC,和Datasheet中的87nC相差很大。

同时测试R1=180Ω时，td=379nS，预算Qg_min=15/204x379=27.8nC,和80Ω的计较成果根基分歧。

取下桥的驱动电阻为56Ω，而后斟酌到VDD和ID的影响，将td时候为1.5的系数。

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