1500V2.5A仙童NDUL03N150C|规格书参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-11-09
仙童NDUL03N150C,n沟道功率MOSFET,1500V2.5A,10.5Ω，TO-3PF-3L
导通电阻RDS(on)=8Ω(typ.)
输入电容Ciss=650pF(typ.)
10V 驱动
MOSFET首要参数：
1.开启电压VT
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间起头构成导电沟道所需的栅极电压；规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；经由进程工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比这一特征偶然以流过栅极的栅流表现MOS管的RGS能够很轻易地跨越1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
在VGS=0（加强型）的前提下 ，在增添漏源电压进程中使ID起头剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
ID剧增的缘由有以下两个方面：
（1）漏极四周耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
有些MOS管中，其沟道长度较短，不时增添VDS会使漏区的耗尽层一向扩大到源区，使沟道长度为零，即发生漏源间的穿通，穿通后，源区中的大都载流子，将直接管耗尽层电场的吸收，达到漏区，发生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
在增添栅源电压进程中，使栅极电流IG由零起头剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm
在VDS为某一牢固数值的前提下 ，漏极电流的微变量和引发这个变更的栅源电压微变量之比称为跨导；gm反应了栅源电压对漏极电流的节制才能；是表征MOS管缩小才能的一个主要参数；普通在非常之几至几mA/V的规模内
6. 导通电阻RON
导通电阻RON说了然VDS对ID的影响 ，是漏极特征某一点切线的斜率的倒数
在饱和区，ID几近不随VDS转变，RON的数值很大，普通在几十千欧到几百千欧之间
因为在数字电路中 ，MOS管导通时常常任务在VDS=0的状况下，以是这时候的导通电阻RON可用原点的RON来类似
对普通的MOS管而言，RON的数值在几百欧之内
7. 极间电容
三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅泄电容CGD和漏源电容CDS
CGS和CGD约为1～3pF
CDS约在0.1～1pF之间
8. 低频噪声系数NF
噪声是由管子外部载流子活动的不法则性所引发的
因为它的存在，就使一个缩小器即使在不旌旗灯号输入时，在输入端也呈现不法则的电压或电流变更
噪声机能的巨细凡是用噪声系数NF来表现，它的单元为分贝（dB）
这个数值越小，代表管子所发生的噪声越小
低频噪声系数是在低频规模内测出的噪声系数
场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
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