MOSFET常识-对于MOSFET驱动电阻的挑选，图文精解-KIA MOS管

对于MOSFET驱动电阻的挑选

等效驱动电路：

L为PCB走线电感，按照别人经历其值为直走线1nH/mm，斟酌其余走线身分，取L=Length+10（nH），此中Length单元取mm。

Rg为栅极驱动电阻，设驱动旌旗灯号为12V峰值的方波。

Cgs为MOSFET栅源极电容，差别的管子及差别的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。VL+VRg+VCgs=12V

按照走线长度能够获得Rg最小取值规模。 别离斟酌20m长m和70mm长的走线： L20=30nH，L70=80nH， 则Rg20=8.94Ω，Rg70=17.89Ω， 以下别离是电压电流波形：

能够看到当Rg比拟小时驱动电压上冲会比拟高，震动比拟多，L越大越较着，此时会对MOSFET及其余器件机能发生影响。可是阻值过大时驱动波形回升比拟慢，当MOSFET有较大电流经由过程时会有倒霉影响。

别的也要看到，当L比拟小时，此时驱动电流的峰值比拟大，而普通IC的驱动电流输出才能都是有一定限定的，当现实驱动电流到达IC输出的最大值时，此时IC输出相称于一个恒流源，对Cgs线性充电，驱动电压波形的回升率会变慢。

电流曲线就能够如左图所示（此时因为电流稳定，电感不起感化）。如许能够会对IC的靠得住性发生影响，电压波形回升段能够会发生一个小的台阶或毛刺。

普通IC的PWM OUT输出如图所示，内部集成了限流电阻Rsource和Rsink，凡是Rsource>Rsink，详细数值巨细同IC的峰值驱动输出才能有关，能够类似以为R=Vcc/Ipeak。普通IC的驱动输出才能在0.5A摆布，是以Rsource在20Ω摆布。

由后面的电压电流曲线能够看到普通的利用中IC的驱动能够间接驱动MOSFET，可是斟酌到凡是驱动走线不是直线，感量能够会更大，并且为了避免内部搅扰，仍是要利用Rg驱动电阻停止按捺。斟酌到走线散布电容的影响，这个电阻要尽能够接近MOSFET的栅极。

能够看到L对回升时候的影响比拟小，首要仍是Rg影响比拟大。回升时候能够用2*Rg*Cgs来类似预算，凡是回升时候小于导通时候的二非常之一时，MOSFET开关导通时的消耗不致于会太大形成发烧题目，是以当MOSFET的最小导通时候肯定后Rg最大值也就肯定了，普通Rg在取值规模内越小越好，可是斟酌EMI的话能够恰当取大。

以上会商的是MOSFET ON状况时电阻的挑选，在MOSFET OFF状况时为了保障栅极电荷疾速泻放，此时阻值要尽能够小，这也是Rsink

现实利用中还要斟酌MOSFET栅漏极还有个电容Cgd的影响，MOSFET ON时Rg还要对Cgd充电，会转变电压回升斜率，OFF时VCC会经由过程Cgd向Cgs充电，此时必须保障Cgs上的电荷疾速放掉，不然会致使MOSFET的非常导通。-MOSFET驱动电阻的挑选

MOS管栅极串连电阻若何肯定

从现实上说，MOS管的输出电阻很大，以是这个电阻绝不是为了晋升输出电阻或限流感化。在低频前提下，这个电阻有点慰藉性子，不接也罢。但在高频时，环境就变了，MOSFET的输出阻抗将下降，并且在某个频次规模内将变成负阻，会发生振荡。

为转变节制脉冲的前后沿陡度和避免震动,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上适合的电阻Rg ，当 Rg 增大时,导通时候耽误,消耗发烧加重;Rg减小时,di/dt增高,能够发生误导通,使器件破坏。

应按照管子的电流容量和电压额外值和开关频次来拔取Rg的数值.凡是在几欧至几十欧之间(在详细利用中,还应按照现实环境予以恰当调剂)。别的为避免门极开路或门极破坏时主电路加电破坏器件,倡议在栅源间插手一电阻Rge,阻值为10kΩ摆布。

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