MOS管利用电路及典范电路阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-10-14
MOS管最明显的特征是开关特征好，以是被普遍利用在须要电子开关的电路中，罕见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。此刻的MOS驱动，有几个出格的须要。
1，MOS管利用电路：高压利用
当利用5V电源，这时辰辰候若是利用传统的图腾柱布局，因为三极管的be有0.7V摆布的压降，致使现实终究加在gate上的电压只要4.3V。这时辰辰候，咱们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在必然的危险。一样的题目也产生在利用3V或其余高压电源的场所。
2，MOS管利用电路：宽电压利用
输入电压并不是一个牢固值，它会跟着时辰或其余身分而变化。这个变化致使PWM电路供给给MOS管的驱动电压是不不变的。为了让MOS管在高gate电压下宁静，良多MOS管内置了稳压管强行限定gate电压的幅值。在这类环境下，当供给的驱动电压跨越稳压管的电压，就会引发较大的静态功耗。同时，若是简略的用电阻分压的道理下降gate电压，就会呈现输入电压比拟高的时辰，MOS督任务杰出，而输入电压下降的时辰gate电压缺乏，引发导通不够完全，从而增添功耗。
3，双电压利用
在一些节制电路中，逻辑局部利用典范的5V或3.3V数字电压，而功率局部利用12V乃至更高的电压。两个电压接纳共地体例毗连。这就提出一个请求，须要利用一个电路，让高压侧可以或许有用的节制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也一样会晤对1和2中提到的题目。在这三种环境下，图腾柱布局没法知足输入请求，而良多现成的MOS驱动IC，仿佛也不包罗gate电压限定的布局。有一个绝对通用的电路知足这三种须要。
题目：此电路为甚么会烧坏Mos管？
此电路是一个很是典范的小电流MOS管驱动电路，但LZ将之移到大电流利用上，水土不平，出了点小题目。
1.烧MOS管不是因为Q41不饱和而至，而是因为驱动电流缺乏，驱动大功率MOS管时（因为其栅极电容的存在），没法疾速对其栅极电容充电，引发栅极电压回升迟缓，切换功耗大大增大，引发烧MOS管。
2.D41不能省，普通MOS管的栅极极限电压为15-16V,此稳压管起掩护MOS管感化，避免太高电压（本电路去掉R42时可高达+30V?!）对MOS管的栅极打击引发击穿破坏。
3.R42不能省，起到限定光耦最大输入电流，及对IN4744A的限流感化。因为光耦的最大输入电流普通较小，过份减小R42加大光耦输入电流，易引发光耦加快老化及破坏，是以，比拟好的体例是在光耦输入端用NPN三极管加一级射极跟从器,缩小输入驱动电流。别的，可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容，起加快MOS管的饱和。
4.R43不能大幅增添，普通加大到10K为下限，其缘由在于，当MOS管关断时，贮存必然驱动电压的栅极电容经由过程R43放电，终究将MOS管关断，如R43太大，MOS管关断时辰增添，关断速率减慢，引发关断时的切换功耗大大增大，引发烧MOS管。固然，最好的体例是在栅极加负压，加快MOS管关断，但如许本钱会高些。
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