MOS管的首要特征及布局，四种范例-KIA MOS管

MOS管的首要特征，MOS管的范例及布局

MOS管是FET的一种（另外一种为JFET结型场效应管），首要有两种布局情势：N沟道型和P沟道型；又按照场效应道理的差别，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和加强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加必然的栅压以后才有漏极电流）两种。是以，MOS管能够被制组成P沟道加强型、P沟道耗尽型、N沟道加强型、N沟道耗尽型4种范例产物。

MOS管的首要特征

1、导通特征

MOS管的首要特征，导通的意思是作为开关，相称于开关闭合。NMOS的特征，VGS大于必然的值就会导通，合用于源极接地时的环境（低端驱动），只要栅极电压到达4V或10V就能够了。PMOS的特征是，VGS小于必然的值就会导通，合用于源极接VCC时的环境（高端驱动）。

2、丧失特征

不论是NMOS仍是PMOS，导通后都有导通电阻存在，电流就会被电阻耗损能量，这局部耗损的能量叫做导通消耗。小功率MOS管导通电阻普通在几毫欧至几十毫欧摆布，挑选导通电阻小的MOS管会减小导通消耗。

MOS管在停止导通和停止时，两头的电压有一个下降进程，流过的电流有一个回升的进程，在这段时候内，MOS管的丧失是电压和电流的乘积，这称之为开关丧失。凡是开关丧失比导通丧失大很多，并且开关频次越快，丧失也越大。

导通刹时电压和电流的乘积越大，组成的丧失也就越大。延长开关时候，能够减小每次导通时的丧失；下降开关频次，能够减小单元时候内的开关次数。这两种方法都能够减小开关丧失。

3、寄生电容驱动特征

跟双极性晶体管比拟，MOS管须要GS电压高于必然的值才能导通，并且还请求较快的导通速率。在MOS管的布局中能够看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，现实上便是对电容的充放电。

对电容的充电须要一个电流，因为对电容充电刹时能够把电容当作短路，以是刹时电流会比拟大。挑选/设想MOS管驱动时第一个要寄望的是可供给刹时短路电流的巨细；第二个要寄望的是，遍及用于高端驱动的NMOS，导通时须要栅极电压大于源极电压。

而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）不异，以是这时候栅极导通电压要比VCC高4V或10V，并且电压越高，导通速率越快，导通电阻也越小。

MOS管的首要特征

4、寄生二极管

漏极和源极之间有一个寄生二极管，即“体二极管”，在驱动理性负载（如马达、继电器）利用中，首要用于掩护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在，在集成电路芯片外部凡是是不的。

MOS管的首要特征

5、差别耐压MOS管特色

差别耐压的MOS管，其导通电阻中各局部电阻比例散布差别。如耐压30V的MOS管，其内涵层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的内涵层电阻则是总导通电阻的96.5%。

差别耐压MOS管的区分首要在于，耐高压的MOS管其反映速率比耐高压的MOS管要慢，是以，它们的特征在现实利用中也表现出了不一样的地方，如耐中高压MOS管只要要极低的栅极电荷就能够知足壮大电流和大功率处置才能，除开关速率快以外，还具备开关消耗低的特色，出格顺应PWM输出形式利用；而耐高压MOS管具备输出阻抗高的特征，在电子镇流器、电子变压器、开关电源方面利用较多。