Mosfet过流掩护电路任务道理及手艺特点-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2020-10-09
对一个胜利设想的来讲掩护电路是相当主要的。咱们来看看若何用运放打造一个过流掩护电路。
Mosfet过流掩护经常利用于电源电路中,用于限定电源的输入电流。“过流”这个词是指负载上的电流跨越了电源的供应限定。这是很风险的环境,并且很能够对电源形成侵害。以是工程师们经常利用过流保护电路来将负载与电源的毗连断开,从而掩护二者。
利用运放打造过流掩护
过流掩护电路有很多种;其庞杂水平取决于过流时掩护电路的反映速率有过快。这里咱们来先容利用运放打造的过流掩护电路,该设想能够等闲插手设想中去。该设想插手了可调的过流阈值,同时另有生效时主动重启功效。由于这是一个基于运放的过流保护电路,以是咱们插手了运放作为驱动,这里用的是罕见的LM358。下图为LM358的引脚图。
上图能够看出,在这个IC内有两个运放通道。但是咱们只要要用到此中的一个。运放须要经由过程MOSFET来闭合(断开)输入负载。这里咱们接纳N通道的MOSFET IRF540N。若是负载电流大于500mA的话,倡议利用适合的MOSFET散热器。以下是IRF540N的引脚图。
为了给运放和电路供电,还用到了LM7809线性稳压器。这是一个9V 1A的线性稳压器,且输入电压规模广。其引脚图以下
所需元器件
最少12V的电源
LM358
IRF540N
100uf/25V的电容
散热器
50kΩ电位计
精度1%的1kΩ和100kΩ电阻
1MΩ电阻
1Ω分流电阻,额定功率为2W
Mosfet过流掩护电路
过流掩护电路的设想思绪是如许的,运放来感知电路是不是有过流发生,基于成果咱们驱动MOSFET来将负载与电源相连/断开。电路图以下。
能够从上述电路图看出,MOSFET IRF540N在一般与过流环境下节制负载的毗连与关断。但在封闭负载之前,检测到负载电流很主要。而用于检测电流的体例便是经由过程分流电阻R1,这是一个1Ω2W的分流电阻。其丈量电流体例被称为分流电阻检流。
当MOSFET导通时,负载电流从MOSFET的漏极流向源极,最初经由过程分流电阻导向GND。基于负载电流,分流电阻会发生一个压降,如许咱们能够用欧姆定律来停止计较。假定1A的负载电流,则分流电阻上的压降为1V,由于V=I x R。以是将该电压与利用运放时的预设电压比拟,咱们就能够检测到过流并转变MOSFET的状况,从而堵截负载。
运放常被用于数学运算,比方加法,减法和乘法等。但是,这个电路中,LM358的设置装备摆设为比拟器。由图可知,该比拟器会比拟两个值的巨细。第一个值是分流电阻间的压降巨细,第二个值是用可调电阻或电位计RV1天生的预设电压(参考电压)。RV1的感化是分压器。分流电阻间的压降则导入比拟器的反向引脚,而参考电压则毗连到比拟器的同向引脚。
正因如斯,若是感到电压小于参考电压的话,比拟器会在输入天生正电压(靠近比拟器的VCC),反之则为负电压(接地,以是此处为0V)。是以电压充足节制MOSFET的开关。
但当大负载与电源断开毗连时,刹时的转变会在比拟器上发生一个线性区间,这会形成一个轮回致使比拟器没法一般开关负载,且运放会变得不不变。比方,假定用电位计将1A设置为MOSFET关断的阈值。这时候,比拟器检测到分流电阻间的压降为1.01V,那末比拟器会断开负载。暂态呼应进步了参考电压,迫使比拟器在一个线性区间任务。
处理该题目的最好方法便是在比拟器上利用不变的电源,如许瞬态转变不会影响比拟器的输入电压和参考电压。不只如斯,比拟器上须要插手额定的滞后。在该电路中,咱们利用的是线性稳压器LM7809和滞后电阻R4,100kΩ的电阻。LM7809位比拟器供给了公道的电压,如许电源线上的暂态转变不会影响比拟器。C1,100uF电容则用于输入电压的滤波。
滞后电阻R4将小局部输入导入到运放输入上,从而在低阈值(0.99V)和高阈值(1.01V)间缔造了一个电压差。如许到达阈值后比拟器不会当即转变状况,不只如斯,要使状况从高到低,那末检测电压应低于低阈值(比方0.97V而不是0.99V),而要从低到高,检测电压应高于高阈值(比如1.03而不是1.01)。这会晋升比拟器的不变性,并削减毛病动身的环境。R2和R3则用于节制MOSFET栅极,R3是MOSFET栅极下拉电阻。
MOS管过流掩护电路,用于与MOS管毗连,其特点在于,所述MOS管过流掩护电路包含第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3);所述第一电容(C1)串连在MOS管的S极与MOS管的D极之间;
所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串连在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间,所述充电电路(L1)用于按照MOS管驱电路传输的MOS管导通讯号,并对所述第一电容(C1)充电,使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步起落;
所述放电电路(L2)用于按照MOS管驱动电路传输的MOS管断开旌旗灯号,并对所述第一电容(C1)完整放电;所述MOS管断开电路(L3)串连在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间,用于在所述第一电容(C1)的充电电压跨越预设稳压值时,将MOS管的G极电压下降,从而使MOS管断开。
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