MOS管选型标准准绳有六个必知

负载电流IL--它间接决议于MOSFET的输入才能；输入-输入电压–它受MOSFET负载占空比才能限定；开关频次FS–参数影响MOSFET开关刹时的耗散功率；MOS管最大许可任务温度–这要知足体系指定的靠得住性方针。

MOS管选型标准

在电源电路利用中，常常起首斟酌漏源电压VDS的挑选。在此上的根基准绳为MOSFET现实任务情况中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即：VDS_peak≤90%*V(BR)DSS

注：普通地，V(BR)DSS具备正温度系数。故应取装备最低任务温度前提下之V(BR)DSS值作为参考。

二、漏极电流

其次斟酌漏极电流的挑选。根基准绳为MOSFET现实任务情况中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的90%；
漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的90%即：ID_max≤90%*ID，ID_pulse≤90%*IDP

注：普通地，ID_max及ID_pulse具备负温度系数，故应取器件在最大结温前提下之ID_max及ID_pulse值作为参考。器件此参数的挑选是极其不肯定的—首要是受任务情况，散热手艺，器件别的参数（如导通电阻，热阻等）等彼此限定影响而至。终究的鉴定按照是结点温度（即以下第六条之“耗散功率束缚”）。按照经历，在现实利用中规格书目中之ID会比现实最大任务电流大数倍，这是由于散耗功率及温升之限定束缚。在初选计较时代还须按照上面第六条的散耗功率束缚不时调剂此参数。倡议初选于3~5倍摆布ID=(3~5)*ID_max。

三、驱动请求

MOSFEF的驱动请求由其栅极总充电电量（Qg）参数决议。在知足别的参数请求的情况下，尽可能挑选Qg小者以便驱动电路的设想。驱动电压挑选在保障阔别最大栅源电压（VGSS）前提下使Ron尽可能小的电压值（普通利用器件规格书中的倡议值）

四、消耗及散热

小的Ron值有益于减小导通时代消耗，小的Rth值可减小温度差（一样耗散功率前提下），故有益于散热。

五、消耗功率初算

MOSFET消耗计较首要包罗以下8个局部：

PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover

详细计较公式应按照详细电路及任务前提而定。比方在同步整流的利用场所，还要斟酌体内二极管正向导通时代的消耗和转向停止时的反向规复消耗。消耗计较可参考下文的“MOS管消耗的8个构成局部”局部。

六、耗散功率束缚

器件稳态消耗功率PD,max应以器件最大任务结温度限定作为考量按照。如能够或许事后晓得器件任务情况温度，
则能够按以下体例预算出最大的耗散功率：

PD,max≤（Tj,max-Tamb）/Rθj-a

此中Rθj-a是器件结点到其任务情况之间的总热阻,包含Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。MOS管选型标准如其间另有绝缘资料还须将其热阻斟酌出来。

MOS管参数寄义申明

Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能蒙受的最大电压

Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻

Id：最大DS电流.会随温度的降落而降落

Vgs:最大GS电压.普通为：-20V~+20VI

dm:最大脉冲DS电流.会随温度的降落而降落，表现一个抗打击才能，跟脉冲时候也有干系

Pd:最大耗散功率

Tj:最大任务结温，凡是为150度和175度

Tstg:最大存储温度

Iar:雪崩电流

Ear:反复雪崩击穿能量

Eas:单次脉冲雪崩击穿能量

BVdss：DS击穿电压

Idss:饱和DS电流，uA级的电流

Igss:GS驱动电流，nA级的电流.

gfs:跨导

Qg:G总充电电量

Qgs:GS充电电量

Qgd:GD充电电量

Td(on):导通提早时候，从有输入电压回升到10%起头到Vds降落到其幅值90%的时候

Tr:回升时候，输入电压VDS从90%降落到其幅值10%的时候

Td(off):关断提早时候，输入电压降落到90%起头到VDS回升到其关断电压时10%的时候

Tf:降落时候，输入电压VDS从10%回升到其幅值90%的时候(参考图4)。

Ciss:输入电容，Ciss=Cgd+Cgs.

Coss:输入电容，Coss=Cds+Cgd.

Crss:反向传输电容，Crss=Cgc.