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逆变器mos管发烧严峻有四个缘由及若何处理-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2020-09-16 

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逆变器mos管发烧严峻的缘由

逆变器的场效应管任务于开关状况,并且流过管子的电流很大,若管子选型分歧适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好,皆可致使场效应管发烧。



1、逆变器mos管发烧严峻要正视场效应管的选型

逆变器中的场效应管任务于开关状况,普通请求其漏极电流尽能够的大一些,导通电阻尽能够的小一些,如许能够减小管子的饱和压降,从而下降管耗,减小发烧量。


查阅场效应管手册,咱们会发明场效应管的耐压值越高,其导通电阻就越大,而那些漏极电流大、耐压值低的管子,它们的导通电阻普通都在数十毫欧以下。

假定图1中的负载电流为5A,咱们选用逆变器经常使用的场效应管RU75N08R(见上图)和耐压值为500V的840皆可,它们的漏极电流皆>5A,但两个管子的导通电阻差别,驱动不异的电流,它们的发烧量相差很大。75N08R的导通电阻只要0.008Ω,而840的导通电阻为0.85Ω,在流过管子的负载电流皆为5A时,75N08R的管压降只要0.04V,此时场效应管的管耗唯一0.2W,而840的管压降可达4.25W,管耗高达21.25W。因而可知,逆变器的场效应管的导通电阻越小越好,导通电阻大的管子,在大电流下管耗相称大。

逆变器MOS管发烧严峻


2、驱动电路的驱动电压幅度不够大

场效应管是一种电压节制器件,若想下降管耗,减小发烧量,场效应管栅极的驱动电压的幅度应充足大,并且驱动脉冲的边沿要陡直,如许皆能够减小管压降,下降管耗。


3、场效应管散热不好的缘由

逆变器mos管发烧严峻因为逆变器的场效应管管耗较大,任务时普通请求要外接面积充足大的散热片,并且外接散热片与场效应管本身散热片之间应慎密打仗(普通请求涂抹导热硅脂),若外接散热片较小或与场效应管本身散热片打仗不够慎密,皆可致使管子发烧。

逆变器mos管发烧严峻有四个缘由的总结


mos管发烧严峻及轻细发烧是普通景象,可是发烧严峻,甚至管子被销毁,则是上面有4个缘由:

(1)电路设想的题目

便是让MOS管任务在线性的任务状况,而不是在开关电路状况。这也是致使MOS管发烧的一个缘由。若是N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,能力完整导通,P-MOS则相反。不完整翻开而压降过大造胜利率耗损,等效直流阻抗比拟大,压降增大,以是U*I也增大,消耗就象征着发烧。这是设想电路的最隐讳的毛病。

(2)频次太高

首要是偶然过度寻求体积,致使频次进步,MOS管上的消耗增大了,以是发烧也加大了。

(3)不做好充足的散热设想

电流太高,MOS管标称的电流值,普通须要杰出的散热能力到达。以是ID小于最大电流,也能够发烧严峻,须要充足的帮助散热片。

(4)MOS管的选型有误

对功率判定有误,MOS管内阻不充实斟酌,致使开关阻抗增大。


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