功率MOS管参数-Vdss的温度特征阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-09-15
功率MOS管参数-Vdss温度特征阐发
由图可知MOSFET-Vdss耐压随温度下降而增添。 为甚么MSOFET的VDS耐压随温度下降而增添，即显现正温度系数呢？
这是半导体硅资料的特征所决议的！MOS管是票据导机电理！载流子只要电子，温度下降，沟道电阻增添，电子迁徙削减，电流变小！故耐压会增添！MOS管是票据导机电理！载流子只要电子，沟道夹断，电子没法经由过程沟道导通，单内涵层中低参杂PN结中的电子迁徙很小，温度下降，这类飘移电流变小！故其反向停止的消耗减小，雪崩能量增添，耐压也增添！固然在这里要做一下分类，实在半导体资料在温度下降时，其内能是增添的，即电子的活性是增添的，单就PN结在反向停止是存在一个耗尽区，这个耗尽区的宽度和载流子的活性决议了耐压！这个耐压和参杂水平，PN界面外形，界面面积都有关！以是差别的参杂水平，差别的界面外形，界面面积便能够培养差别耐压，差别电流，差别机能的器件，如二极管，稳压管，包含MOS管，仅就MOS管，其差别的界面外形就培养了立体管，沟槽管，超深工艺的超极管！功率MOS管参数
为甚么二极管的反向耐压是随温度变高而下降了，MOSFET-Vdss耐压是温度下降而增添呢？
两种器件的导机电理是不一样的！二极管是双子导电，是空穴和电子同时迁徙发生电流！二极管的反向泄电流是随温度回升而增添的！故温度越高反向泄电流越大，消耗敏捷增添最初雪崩击穿！MOS管是票据导机电理！载流子只要电子，温度下降，沟道电阻增添，电子迁徙削减，电流变小！故耐压会增添！故双极型器件（双子载流）的反向泄电流要比MOS型器件大！
