MOS管开关频次最高几多若何测算及MOS开关管的耗损计较

MOS管开关电路

MOS管开关频次最高几多若何测算详解，先来看看MOS管开关电路。下为一张典范的N沟道加强型MOS管开关电路道理图：

D1感化：续流二极管

R1感化：1、限流电阻，减小刹时电流值：MOS管属于压控型器件，两两引脚之间存在寄生电容（Cgs、Cgd、Cds）:

规格书中普通会标注Ciss、Coss、Crss：

Ciss = Cgs + Cgd

Coss = Cds + Cgd

Crss = Cgd

如图Ciss=587pF，假设VGs=24V，dt=Tr（回升时辰）=20ns，则MOS管在开关时的刹时电流I = Ciss * dVgs / dt = 0.7A。当在栅极串接一个电阻（几Ω~上千Ω）时，会与Ciss构成RC充放电回路，从而减小刹时电流值。

2、调理MOS管的通断速率，有益于节制EMI：同时，加上R1后，MOS管通断切换时辰会变慢，有益于节制EMI；可是若是串接的电阻太大，会致使栅极到达导通电压的时辰变长，也便是说MOS管处在半导通状况的时辰太长，此时MOS管内阻较大，Rds->Rdson的时辰比拟长，Rds会耗损大批的功率，能够致使MOS管因发烧而破坏。

3、按捺栅极振荡：

MOS管接入电路后，引入引线寄生电感，会与寄生电容构成LC振荡电路，对方波这类开关波形旌旗灯号来讲包罗良多频次成份：那末就能够够在某个谐振频次不异或附近时构成串连谐振电路，串接一个电阻后会减小振荡电路的Q值，从而使振荡疾速衰减。

R2感化：

1、G极对地电阻（普通5KΩ~数十KΩ），经由进程下拉为MOS管供给一个牢固偏置，防止当IC驱动口处于高阻态的环境下G极遭到搅扰旌旗灯号使MOS管不测导通。

2、泄放电阻，经由进程这个电阻泄放掉G-S之间的少许静电（G-S之间的电阻很大很大，少许的静电就能够经由进程G-S之间的等效电容发生很高的电压，此时因为RGS很大，感到电荷难以开释，乃至于高压将MOS管很薄的绝缘层击穿，破坏MOS管）从而掩护MOS管，若是不这个电阻，MOS管轻易遭到外界搅扰不测导通烧坏，另外在MOS督任务不时守旧关断的时辰对寄生电容停止恰当的放电以掩护MOS管。

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MOS管开关频次若何测算

MOS管在导通和停止的时辰，必然不是在刹时实现的。MOS管两头的电压有一个降落的进程，流过的电流有一个回升的进程，在这段时辰内，MOS管的丧失是电压和电流的乘积，叫做开关丧失。凡是开关丧失比导通丧失大良多，并且开关频次越快，丧失也越大。

以IRF840的参数计较，假设门极电压10V，那末电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时辰常数为63us。可是，不是颠末一个时辰常数以后MOS管就关断了，而是门极电压降落到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时辰与MOS管型号有关，与门极充电到达的电压有关(现实上门极电容并不是线性电容)，不太精确的估量，能够把门极电容放电时辰估量为63us的2倍，即0.12ms。MOS管门极充电电阻较小(首帖图中为3千欧)，估量充电时辰为0.06ms。那末充电放电时辰一共是0.18ms。该MOS管在此电路中最大开关任务频次为5.5kHz。