开关MOS寄生二极管的多种妙用具体剖析-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-07-07
当电路中发生很大的刹时反向电流时，能够经由进程这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。（起到掩护MOS管的感化）
沟槽Trench型N沟道加强型功率MOSFET的布局以下图所示，在N-epi内涵层上分散构成P基区，而后经由进程刻蚀手艺构成深度跨越P基区的沟槽，在沟槽壁上热氧化天生栅氧化层，再用多晶硅添补沟槽，操纵自瞄准工艺构成N+源区，反面的N+substrate为漏区，在栅极加上必然正电压后，沟槽壁侧的P基区反型，构成垂直沟道。
由下图中的布局能够看到，P基区和N-epi构成了一个PN结，即MOSFET的寄生体二极管。
1、全桥逆变电路
2、三相桥电路
3、LLC半桥谐振电路ZVS
4、移相全桥PSFB ZVS
5、HID照明（ZVS）
1、MOSFET体二极管反向规复
2、LLC半桥谐振变更器
3、LLC电压增益
4、LLC变更器 ZVS状况下模态切换
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