MOS管的耐压对机能参数及栅极电荷的影响阐发

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是能够对换的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在大都环境下，这个两个区是一样的，即便两头对换也不会影响器件的机能。如许的器件被以为是对称的。

MOS管,MOS管的耐压

功率比拟小的单管变更器的主开关凡是接纳MOS管，其长处是电压型节制，驱动功率低，低电压器件中MOS的导通压降和开关速率是最好的。

MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS的耐压程度由芯片的电阻率和厚度决议，而MOS管是大都载流子导电器件，芯片电阻坦白接影响器件的导通电阻。凡是MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增添。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而一样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6)，约莫为6400倍！若是还想坚持导通电阻的根基稳定就须要更大的管芯面积，如许不只增添了封装尺寸，并且价钱也将较着回升。

开关变更器中MOS管的开关速率现实上是受驱动电路的驱动才能影响，很少会因驱动电路的驱动才能多余而MOS管的速率或本身特征限定了开关速率。MOS管的电荷量是影响开关速率的最首要身分。比方100nC的栅极电荷用100mA的电流将其布满或放尽，须要的时候为1us，而30nC的电荷则仅须要300ns的时候。

或是在不异的驱动时候，则驱动电流能够降落为30mA。现实上决议MOS管的开关速率的身分是栅-泄电荷（Qgd），也便是MOS管从导通转换到关断或从关断转换到导经由过程程中超出“缩小区”所须要的电荷“米勒电荷”。

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