MOS管电压型静电击穿阐发 MOS管原厂专业制作-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2020-04-24
明天首要讲MOS管电压型静电击穿特色。实在MOS管一个ESD敏感器件，它自身的输出电阻很高，而栅-源极间电容又很是小，以是极易受外界电磁场或静电的感到而带电，又因在静电较强的场所难于泄放电荷，轻易引发静电击穿。而静电击穿有两种体例，电压型及功率型。
电压型击穿，即MOS管栅极的薄氧化层产生击穿，构成针孔，使栅极和源极间短路，或使栅极和漏极间短路，它的特色是：
（1）穿通击穿的击穿点软，击穿进程中，电流有慢慢增大的特点，这是因为耗尽层扩大较宽，产生电流较大。另外一方面，耗尽层展广大轻易产生DIBL效应，使源衬底结正偏呈现电流慢慢增大的特点。
（2）穿通击穿的软击穿点产生在源漏的耗尽层相接时，此时源真个载流子注入到耗尽层中，被耗尽层中的电场加快到达漏端，是以，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大差别，这时候的电流相称于源衬底PN结正向导通时的电流，而雪崩击穿时的电流首要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。
（3）穿通击穿普通不会呈现粉碎性击穿。因为穿通击穿场强不到达雪崩击穿的场强，不会产生大批电子空穴对。
（4）穿通击穿普通产生在沟道体内，沟道外表不轻易产生穿通，这首要是因为沟道注入使外表浓度比浓度大形成，以是，对NMOS管普通都有防穿通注入。
（5）普通的，鸟嘴边缘的浓度比沟道中间浓度大，以是穿通击穿普通产生在沟道中间。
（6）多晶栅长度对穿通击穿是有影响的，跟着栅长度增添，击穿增大。而对雪崩击穿，严酷来讲也有影响，可是不那末明显。
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