MOSFET导通电阻Rds(ON)与VGS、结温、耐压的干系阐发

导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项首要参数，mos管在愈来愈多的新动力和汽车电子利用中，都能发明MOSFET的身影，并且良多利用请求超低导通电阻的MOSFET功率器件。

甚么是Rds(ON)？

Rds(ON)是MOSFET任务（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单元是欧姆。对同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，任务时的耗损（功率耗损）就越小。

mos管,MOSFET

mos管任务电路

对普通晶体管，耗损功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以集电极电流（IC）表现：

PD＝（集电极饱和电压VCE(sat)）x（集电极电流IC）

对MOSFET，耗损功率用漏极源极间导通电阻（Rds(ON)）计较。MOSFET耗损的功率PD用MOSFET本身具备的Rds(ON)乘以漏极电流（ID)的平方表现：

PD ＝（导通电阻Rds(ON)）x（漏极电流ID）2

因为耗损功率将变成热量披发进来，这对装备会发生负面影响，以是电路设想时城市采用必然的对策来削减发烧，即下降耗损功率。

因为MOSFET的发烧首恶是导通电阻Rds(ON)，普通利用中都请求Rds(ON)在Ω级以下。

与普通晶体管比拟，MOSFET的耗损功率较小，以是发烧也小，散热对策也绝对简略。

Rds(ON)与VGS的干系

凡是，栅极源极间电压（VGS）越高，Rds(ON)越小。栅极源极间电压不异的前提下，Rds(ON)因电流差别而差别。计较功率耗损时，须要斟酌栅极源极间电压和漏极电流，挑选合适的Rds(ON)。

mos管,MOSFET

导通电阻-栅极源极间电压特征

普通MOSFET的芯片尺寸（外表面积）越大，Rds(ON)越小。差别尺寸的小型封装前提下，封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，是以Rds(ON)越小。利用中，挑选更大尺寸的封装，Rds(ON)会更小。

Rds(ON)与温度的干系

除VGS，温度是影响Rds(ON)的一个首要身分，与导通状况有关，不管是缩小状况仍是开关状况，温度的影响都非常较着，是以须要注重这一特征。

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MOSFET在饱和导通前提下，Rds(ON)跟着温度的降低有增添的趋向，结温Tc从25℃增添到100℃时，Rds(ON)约莫会增添1倍，这象征着跟着温度的降低，漏—源极的压降降低，漏极电流有减小的趋向，漏极功耗则有增添的趋向，在设置装备摆设自力散热器的时辰应当注重到这一点。

Rds(ON)与耐压的干系

在汽车、充电桩、光伏发电、风力发电等利用中，不少处所请求MOSFET可以或许耐必然电压。若是想要耐压越高就得把MOSFET做厚，越厚的话MOSFET导通电阻就会越大。如许，划一前提下的低导通电阻MOSFET就具备合作上风，以是厂家都在资料和工艺高低工夫把导通电阻做小，小到只要1mΩ，这个时辰的耗损就出格小。

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