其他范例的基极驱动电路

在曩昔的几年里 ，呈现了很多特地用于驱动双极型晶体管的电路 。它们大多利用于低功率场所 ，这些电路经由过程各类体例来到达以 F两个方针 ：①用起码的元器件取得反向基极电压和反向基极电流，或在关断和导通的过相巾将基极和发射极短路：②在主电路电流最大的时辰，正向基极电流充足驱动卢值小的晶体管 ，同时不会在主电路电流最小时驱动卢值大的晶 体管而发生存储时辰太长的题目 。上面将给出些例子。

设想了如图 8.14 C a ）所示的电路 ，用在 lOOOW 的离线式电源中该电路的首要特征是 ，在 Q2 行将关断时导通 QI ，并经由过程变压器 Tl 将电流和 2V 反向基极偏置电压提 供应功率晶体管 Q2o 它既可驱动下桥臂的功率晶体管 ，也可任务在MOS管电源开关电路中来驱动上桥臂的晶体管。这个电路在低功率场所也取得了普遍利用  。它的任务道理以下 。

假定（ 图 8.14 C b ) 电压在 Q2 半个周期的局部时辰内为高 ，其他时辰内 Q2 将 关断 （ Q2 的死区），Ns 上的电压被钳位为零 。鄙人半个周期里 ，电压反向对磁心停止复位。将芯片的输入脚 11 和输入脚 14 毗连于低级，便可以或许取得所需的波形了。恰当挑选变压器Tl 的比使次级电压 Vs 约为 4V。再挑选适合的电阻 RI ，给 Q2 基极限流 ，并可以或许以请求的速率将 P 值最小的晶体管MOS管驱动至饱和导通 ，即

Ns 上的电压约为 4V,  R I 上的电压约为 3V, 左端被充电到绝对 Q2 发射极其一2V, RI 左端电位绝对 Q2 发射极其一3V 。当 R l 中有电流流过时，Ql 有一lV 反偏电压 ，处于关 断状况。

在死区初始时辰 ，Vs 跌落至零 ，Q2 疾速关断 ，其存储时辰越小越好 。一旦 Vs 降落为零， Cl  左端电位将比 Q2 发射极电位低 2V, 就相称于一个 2V  的浮充电源，给由 R l 、R2  和 Ql  的基射极串连组成的电路供电 。

此时，QI 导通 ，供给 Q2 基射极间的 2V 反向偏置电压 ，Q2 关断。Q2 基极的反向电流 详细是几多并不能肯定 。QI 为 2N2222A 型管，它是一种流过 500mA 电流时，最小增益为 50 的疾速晶体管 ，这充足令 Q2 疾速关断了 ，且存储时辰也充足小 。在 风的同名端再次为正 时，QI  因墓极反偏而关断 。

如图 8.14 C c ） 所示，该电路用更加自制的 SG3524 芯片代替了 UC3525 。在这里 ，当 Vs 极性反向时 ，稳压二极管 Zl ( 3.3V ） 和二极管 D2 对其停止钳位 ，并在设定的时辰内对磁心 停止复位 。为了防止被 QI   钳位 ，二极管 D3  用来阻断复位电压 。

Cl 经由过程 DI 被充至一个浮充偏置电压 ，它经由过程R I 和 R2 的串连电路导通 Qla Ql 导通时， 将 Q2 基极电压拉低到一 2V ，从而关断 Q2。因为增添了二极管 D3, Tl 的臣比须要按照使 Vs 取得约 5V 电压的请求停止挑选。

图 8.14 (a) Wood 基极MOS驱动电路 。当 N，的同名端为正，Q2 导通时，其基极电流被 Rl 限定。电压 V，的选 择应知足使在流过己知基极电流的时辰 Rl 上约有 4V 的电压。若 Rl 上电压为 4V ，则 Cl 经由过程 D1 充电至 3V 。当 N，上有电压时，QI 被反向偏置而关断 。当 NP 上的电压跌落至零时 ，N，上的电压 也跌落至零 。Cl 上的 3V 电压经由过程电阻 Rl 和 R2 将 Ql 导通。如许就给 Q2 的基极施加上 3V 的 反向偏置电压 ，并令其敏捷关断 。C c） 在电路中增添 D3, Zl 和 D2 ，许可 Tl 间接毗连到 3524 芯 片的输入晶体管集电极上。

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