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晶体管的驱动 MOSFET 管

信息来历:本站 日期:2017-05-17 

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MOSFET管栅极驱动电路

如上所述 ,栅极驱动电路必须能输出电流 ,即成为 “ 源”。同时,为了供应栅极反向电压,MOS驱动电路必须能从栅极抽取电流 ,即成为  “ 汇”。大局部初期的 PWM 芯片 ( SG1524 系列) 的驱动电路,不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “ 源” 和 “ 汇”。图 9.6  ( a ) 中的电路说了然这一点。

SG1524 型 PWM 芯片输出级由发射极和集电极都悬空的晶体管构成 。当输出级的晶体管 导通 ,它能从集电极抽取或从发射极输出 200mA 的电流。当操纵晶体管的发射极驱动 MOSFET 管的栅极时 ,发射极电阻能从栅极抽取电流 ,降落栅极电压来关断 MOSFET 管。 凡是当片内输出晶体管导通时 ,功率晶体管也要当即导通 。图9.6( b )给出了一个 N 型MOSFET 管的驱动电路 ,它的栅极由 SG1524 型 PWM 芯片的发射极驱动 。图 9.6 C b ) 中的驱动电路能供应 200mA 的电流给栅极,疾速地导通 MOSFET 管。以是, 如 9.2.2 节所述 ,50ns  内须要 0.924A 的电流去驱动 MTM7N45 管栅极电压使之回升到 IOV 。

能够推导 ,SG1524   型 PWM  芯片输出 200mA   电流时,栅极电压从 ov 回升到 IOV  只要

( 0.924/0.2 ) ×50=231ns 。又如 9.2.3 节所述 ,漏极电流回升时候对应于栅极电压从 2.5V 回升 到 sv 所用的回升时候 ,漏极电流回升时候就 只要 ( 2.5+10 ) ×231=58肘。初始的 2.5V 栅极电 压回升到阔值电压只发生了 58ns 的提早。这固然降落了最大开关频次 ,但它不会引发任何开 关消耗。

栅极电压从 ov 到 IOV  的回升时候 C 231ns ) 己经充足短了,但在图9.6 C b ) 所示电路中 , 因为不恒定电流给电容放电 ,以是栅极电压降落时候只取决于发射极电阻 Re 和栅极输出电压。


图 9.6 C a ) PWM 芯片 SG1524 和它的输出晶体管 ( 11 脚、12 脚、13 脚和 14 脚),输出晶体管能供应或接收 200mA 的电流:C b ) 驱动高输出电容 MOSFET 管的晶体管发射极驱动电路 。200mA 的驱动电流能够疾速的导通 MOSFET 管。关断时,RI 为栅极下拉电阻 ,它在时候3R1Cin 内将栅极电压拉低: C  c) 用作接收栅极电流的 PNP 射极跟从器和作为 200mA 驱动 “源” 的片内输出晶体管 。此时电 阻 R2  能够很大


在图 9.6 C b ) 中,当MOS管驱动芯片内输出晶体管的基极其低电日常平凡 ,输出晶体管发射极的电压由 于 MOSFET 管的大输出电容而仍然保持为高电平 。输出晶体管关断后,只剩下输出发射极电 阻给 MOSFET 管输出电容供应放电 回路。对应的电容值 ( 9.2.2 节) 为输出电容加上米勒电 容,即 1800+(180+ 10)×150=4500pF。

如许 ,对标称值为 2000.的发射极电阻,MOSFET 管栅极电压降落时候为 3RI C=3× 200×4500=2.70阳。若是开关频次到达 IOOkHz 以上,则 2.70阳的栅极电压降落时候明显太长 了。这是因为存在 MOSFET 管栅极输出电容的原因 ,是以就须要用自力的晶体管来驱动 MOSFET 管,它能够输出或接收 200 400mA 的电流。

就 SG1524 型 PWM 芯片来讲 ,它具备输出或接收电流的才能 ,可是不能同时操纵 。大大都环境下 ,简略而适用的 MOSFET 管的栅极驱动电路便是利用 NPN-PNP 图腾柱式射极跟从器。如图 8.17 所示 ,晶体管 Q2 和 Q3 别离是 2N2222A 和 2N2907A ,接纳 T0-18 封装,价 格不跨越十美分 。它们能够输出或抽取 800mA 的电流,回升时候约为 60ns 。图腾柱上方的 晶体管能够用 PWM 芯片输出级的晶体管取代 ,如图9.6( c )所示 。固然它的驱动才能 OOmA ) 比 2N2222A 管小,但普通环境下己经充足了 。

第二代 PWM 芯片,如 Unitrode 公司出产的 UC1525A[坷 ,具备内置图腾柱布局 ,它由 NPN 型反相器叠加 NPN 型射极跟从器构成 。如图 9.7 ( a ) 所示,射极跟从器和反相器由相 位相差 180。的旌旗灯号驱动,交织导通。经由过程利用具备两个相互断绝的次级的变压器( 图 9.7( b) ) 驱动具备差别直流电压程度的半桥或全桥电路的上 F两只晶体管。近似地 ,推挽电路也能够 驱动具备不异直流电压的  MOSFET   管。

在图 9.7 C b ) 中,变压器低级毗连到 PWM 芯片的 11 脚和 14 脚。在半周期的导通时候 内,11 脚绝对 14 脚为正 ,并输出 200mA 电流。11 脚电位对地约为 +(Vh 2)V, 14 脚电位 对地约为+2V 。在半周期的死区时候内 ,11 脚和 14 脚都对地短路 。鄙人半周期 ,11 脚和 14 脚的极性倒置 。若低级电压为士 lOV ,则供电电压 vh 应约为 14V。


图 9.7 C a ) 具备图腾柱输出 ( 输出 A 和 B ) 的第二代 PWM 芯片 UC1525A 。它能够接收或供应 MOSFET 管基极大屯流 ( Unitrode 供应)。C b) A 和 B 的图腾柱输出能够驱动大输出电容 MOS管,便可 以间接驱动栅极共地的推挽电路 ,或经由过程一个变压器驱动栅极不共地的半桥或全桥电路




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