MOS管 10N65 10A/650V参数 原厂供货 性价比高 品质好-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-12-04
这款KIA10N65H是N沟道加强型硅栅功率MOSFET，用于高压、高速电源开关利用，如高效力开关电源电源，有源功率因数校订，基于半桥的电子灯镇流器等。
RDS(on)=0.65Ω@VGS=10V
低栅极充电（典范48nC）
疾速切换才能
改良的dv/dt才能
型号：KIA10N65H
任务体例：10A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
泄电流脉冲：40.0*A
峰值二极管规复dv/dt：4.5V/ns
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