LED日光灯电源手艺题目-LED日光灯电源不烧坏MOS管的注重要点

LED日光灯的发光道理

PN结的端电压组成必然势垒,当加正向偏置电压时局垒降落, P区和N区的大都载流子向对方分散。由于电子迁徙率比空穴迁徙率大良多,以是会呈现大批电子向P辨别散,组成对P区大都载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合,复合时获得的能量以光能的情势开释进来。这便是PN结发光的道理。

LED日光灯电源-避免烧坏MOS管的4大首要要点

LED日光灯电源发烧到必然水平会致使烧坏，对这个题目，也见到过有人外行业服装论坛t.vhao.net发过贴会商过。本文将从芯片发烧、功率管发烧、任务频次降频、电感或变压器的挑选、LED电流巨细等方面会商LED日光灯电源发烧烧坏MOS管手艺。

（一）芯片发烧

本次内容首要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假设芯片耗损的电流为2mA，300V的电压加在芯片下面，芯片的功耗为0.6W，固然会引发芯片的发烧。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的耗损，简略的计较公式为I=cvf（斟酌充电的电阻效益，现实I=2cvf，此中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，以是为了下降芯片的功耗，必须想体例下降c、v和f.若是c、v和f不能转变，那末请想体例将芯片的功耗分到芯片外的器件，注重不要引入额定的功耗。再简略一点，便是斟酌更好的散热吧。

（二）功率管发烧

功率管的功耗分红两部分，开关消耗和导通消耗。要注重，大大都场所出格是LED市电驱动利用，开关侵害要弘远于导通消耗。开关消耗与功率管的cgd和cgs和芯片的驱动才能和任务频次有关，以是要处理功率管的发烧能够从以下几个方面处理：

a、不能单方面按照导通电阻巨细来挑选MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF摆布，2N60的cgs为350pF摆布，5N60的cgs为1200pF摆布，不同太大了，挑选功率管时，够用就能够了。

b、剩下的便是频次和芯片驱动才能了，这里只谈频次的影响。频次与导通消耗同样成反比，以是功率管发烧时，起首要想一想是不是是频次挑选的有点高。想体例下降频次吧！不过要注重，当频次下降时，为了获得不异的负载才能，峰值电流必然要变大或电感也变大，这都有能够致使电感进入饱和地区。若是电感饱和电流够大，能够斟酌将CCM（持续电流形式）转变成DCM（非持续电流形式），如许就须要增添一个负载电容了。

（三）任务频次降频

这个也是用户在调试进程中比拟罕见的景象，降频首要由两个方面致使。输出电压和负载电压的比例小、体系搅扰大。对前者，注重不要将负载电压设置的太高，固然负载电压高，效力会高点。对后者，能够测验考试以下几个方面：

a、将最小电流设置的再小点;

b、布线清洁点，出格是sense这个关头途径;

c、将电感挑选的小点或选用闭合磁路的电感;

d、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的分歧性不好，误差有点大，不过对照明来讲应当够了。

不管若何降频不益处，只要害处，以是必然要处理。

（四）电感或变压器的挑选

终究谈到重点了，我还不入门，只能瞎扯点饱和的影响了。良多用户反映，不异的驱动电路，用a出产的电感不题目，用b出产的电感电流就变小了。碰到这类环境，要看看电感电流波形。有的工程师不注重到这个景象，间接调理sense电阻或任务频次到达须要的电流，如许做能够会严峻影响LED的利用寿命。

以是说，在设想前，公道的计较是必须的，若是实际计较的参数和调试参数差的有点远，要斟酌是不是降频和变压器是不是饱和。变压器饱和时，L会变小，致使传输delay引发的峰值电流增量急剧回升，那末LED的峰值电流也随着增添。在均匀电流稳定的条件下，只能看着光衰了。

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