5G通信基站掩护板公用MOS管原厂上风凸显 KNX2710A 160A/100V-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-10-18
5G基站是5G收集的焦点装备，基站的架构、形状间接影响5G收集的安排战略。在今朝的手艺规范中，5G的频段远高于以后的2G和3G，5G频段的特色也决议着在到达3G笼盖品德的环境下，5G的基站密度将更高。
5G基站首要用于供给5G空口和谈功效，撑持与用户装备、焦点网之间的通信。按照逻辑功效分别，5G基站可分为5G基带单位与5G射频单位，两者之间可颠末过程CPRI或eCPRI接口毗连。
5G基带单位担任NR基带和谈处置，包含全部用户面（UP）及节制面（CP）和谈处置功效，并供给与焦点网之间的回传接口（NG接口）和基站间互毗连口（Xn接口）。
5G射频单位首要完成NR基带旌旗灯号与射频旌旗灯号的转换及NR射频旌旗灯号的收发处置功效。鄙人行标的目的，领受从5G基带单位传来的基带旌旗灯号，颠末上变频、数模转换和射频调制、滤波、旌旗灯号缩小等发射链路（TX）处置后，颠末开关、天线单位发射进来。在下行标的目的，
5G射频单位颠末过程天线单位领受下行射频旌旗灯号，颠末低噪放、滤波、解调等领受链路（RX）处置后，再停止模数转换、下变频，转换为基带旌旗灯号并发送给5G基带单位。
专有新沟槽手艺
RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V
低栅极电荷使开关消耗最小化
快规复体二极管
型号：KNX2710A
任务体例：160A/100V
漏源电压：100V
栅极到源极电压:±20V
延续泄电流:160A/80A/120A
脉冲泄电流在VGS=10V：640A
单脉冲雪崩能量:1200MJ
峰值二极管规复dv/dt:5.0V/ns
功耗:333W
漏源击穿电压:100V
输入电容:8000pF
反向转移电容:950pF
输入电容:760pF
检查及下载规格书，请点击下图。
深圳市可易亚半导体科技无限公司.是一家专业处置中、大、功率场效应管(MOSFET)、疾速规复二极管、三端稳压管开辟设想，集研发、出产和发卖为一体的国度高新手艺企业。
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壮大的研发平台，使得KIA在工艺制作、产物设想方面具有常识产权35项，并把握多项场效应管焦点制作手艺。自立研发已成了企业的焦点合作力。
KIA专一于产物的邃密化与改革，力图为客户供给最具行业抢先、品德上乘的科技产物。
KIA半导体从设想研发到制作再到仓储物流，KIA半导体真正完成了一体化的办事链，真正做到了办事细节全到位的品牌内在，咱们努力于成为场效应管（MOSFET）功率器件范畴的领跑者，为了这个方针，KIA半导体正在延续立异，永不止步！
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