50A/ 30V 50N03 低内阻 3-4串掩护板公用MOS管 封装范例多-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-08-26
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
产物型号：KIA50N03
任务体例：50A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
泄电留连续：50A
脉冲漏极电流：200A
耗散功率TA=25℃：60W
耗散功率TA=25℃：23W
热电阻：50℃/W
漏源击穿电压：30V
零栅极电压漏极电流：1μA
输入电容:1300pF
输入电容：270pF
反向转移电容：145pF
检查及下载规格书，请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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