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MOS管KIA2803A替换FDD8870 160A/30V 现货供给 原装正品-KIA MOS管

信息来历：本站　日期：2019-07-29　

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MOS管KIA2803A替换FDD8870 160A/30V 现货供给 原装正品

FDD8870替换MOS管-KIA2803A

KIA2803A能够替换FDD8870，KIA2803A MOS管是KIA半导体品牌，如您有须要或是想领会更多能够检查KIA官网或是致电KIA，咱们将真挚为您办事！


上面咱们一路来看看KIA2803A和FDD8870这两个型号的详细参数、封装、电路特点等。


MOS管 FDD8870替换产物KIA2803A材料概况
（一）MOS管 KIA2803A特点

1、RDS（on）=2.2mΩ（范例）@VGS=10V


2、低导通电阻


3、100%雪崩实验


4、无铅、合适RoHS规范


（二）KIA2803A参数

产物型号：KIA2803A

任务体例：150A/30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±20V

持续泄电流@VGS=10V,TC=25oC:150A

脉冲泄电流测试TC=25oC:600A

单脉冲雪崩能:625MJ

最大功率耗损TC=25oC:160W

最高温度:175℃

储存温度规模：-55℃至+175℃


（三）KIA2803A封装图


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（四）MOS管 KIA2803A规格书

检查及下载规格书，请点击下图。


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MOS管 FDD8870产物材料概况
（一）MOS管 FDD8870产物概述

这类N沟道MOSFET是特地为进步DC/DC变更器的全体效力同步或惯例开关PWM节制器。它已针对低栅电荷、低栅电荷停止了优化。R-DS（开）和疾速切换速率。


（二）MOS管 FDD8870特点

rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A

rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A

高机能沟槽手艺，极低RDS（开）

低栅电荷

高功率和电流处置才能


（三）FDD8870参数


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（四）MOS管 FDD8870封装引脚功效


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（五）MOS管 FDD8870规格书

检查及下载规格书，请点击下图。


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