HY1906替换MOS管-HY1906、KNX3308A规格书、封装、参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-07-03
下文将会具体的先容国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产物的首要参数、封装、利用范畴等产物信息。KIA半导体是一家专业处置中、大、功率场效应管(MOSFET)、疾速规复二极管、三端稳压管开辟设想，集研发、出产和发卖为一体的国度高新手艺企业。
从设想研发到制作再到仓储物流，KIA半导体真正完成了一体化的办事链，真正做到了办事细节全到位的品牌内在，咱们努力于成为场效应管（MOSFET）功率器件范畴的领跑者，为了这个方针，KIA半导体正在延续立异，永不止步！
RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V
供给无铅环保装备
下降导电消耗的低RD值
高雪崩电流
MOS管 KNX3308A利用范畴
电力供给
直流变更器
型号：KNX3308A
电流：80A
电压：80V
漏源极电压:80V
栅源电压:±25
脉冲泄电流：340A
雪崩电流:20A
雪崩动力:410MJ
检查规格书，请点击下图。
RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V
雪崩测试100%
型号：HY1906
参数：60V/70A
漏源电压：60V
栅源电压:±25V
源电流持续:70A
脉冲泄电流:260A
持续泄电流 Tc=25℃:70A
持续泄电流 Tc=100℃:49.5A
单脉冲雪崩能量286.6MJ
漏源击穿电压：60V
输入电容：4620PF
输入电容：410PF
反向传输电容:360PF
检查及下载规格书，请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
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