KNX3706A 50A/60V N沟道MOS管中文材料、封装、参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-06-04
KIA半导体的KNX3706A产物是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，它供给了良好的RDS(ON)和大大都同步降压变更器利用的栅极电荷。KNX3706A知足RoHS和绿色产物的请求，100%EAS保障功效的靠得住性获得承认。
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮气掩护
超低栅极电荷
最好Cdv/dt效应衰减
高等高密度槽手艺
电流：50A
电压：60V
漏源极电压：60V
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：100A
单脉冲雪崩能：72.2MJ
雪崩电流：38A
讨论和贮存温度规模：-55℃至150℃
总功耗：42W
漏源击穿电压:60V
输入电容：3220pF
输入电容：210pF
反向转移电容：145pF
持续源电流:50A
脉冲源电流:100A
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