KIA6N70H 5.8A/700V规格书下载-MOS管原厂供货 KIA原厂现货-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-05-28
这款功率MOSFET是利用KIA半导体进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这个进步前辈的手艺是KIA半导体特地定制的。能够削减打击，供给优胜的开关机能，能蒙受雪崩和换向形式下的高能量脉冲，这款产物很是合适于高效力开关电源、有源功率因数校订，基于半桥拓扑。
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低栅电荷（典范16NC）
高耐用性
疾速切换
雪崩测试100%
进步dv/dt才能
型号：KIA6N70H
任务体例：5.8A/700V
漏源电压：700V
脉冲泄电流:20* A
栅源电压:±30V
单脉冲雪崩能量:150MJ
雪崩电流:4.8A
反复雪崩能量:9.5MJ
峰值二极管规复dv/dt:4.5 V/ns
漏源击穿电压:700V
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