KIA35P10A替换CMD5950 PDF材料参数-KIA35P10A多量量供货-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-05-13
CMD5950接纳进步前辈的沟槽手艺和设想，供给良好的低门电荷RDS（on），它可用于多种用处。
P沟道
低电阻
疾速切换100%
雪崩测试
漏源电压：-100V
栅源电压：20V
持续泄电流：-35a
脉冲漏极电流：-105a
雪崩电流：- 35 A
总功耗：50w
贮存温度规模：- 55至150
任务结温度规模：150℃
1、RDS(on)=42mΩ（typ)@VGS=10V
2、100%EAS保障
3、绿色装备可用
4、超低门电荷
5、Cdv/dt效应低
6、进步前辈的高密度槽道手艺
7、KIA35P10A接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，以供给良好的RS（ON）和门KIA35P10A合适RoHS和Green的请求，合用于多种用处。KIA35P10A产物请求：100%EAS保障，功效靠得住。
产物型号：KIA35P10A
任务体例：-35A/-100V
漏源极电压：-100V
栅源电压：±20V
单脉冲雪崩能：345MJ
雪崩电流:28A
总功耗:104W
操纵和贮存温度规模：-55℃至+150℃
1、电动车防盗器
2、农机
检查及下载规格书，请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
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