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MOS管原厂KIA品牌 KIA50N06B可替换FQP50N06规格书-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2019-04-29 

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KIA MOS管品牌先容

MOS管KIA50N06B可替换FQP50N06,领会一下KIA半导体公司,深圳市可易亚半导体科技无限公司.是一家专业处置中、大、功率场效应管(MOSFET)、疾速规复二极管、三端稳压管开辟设想,集研发、出产和发卖为一体的国度高新手艺企业。


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现已具有了自力的研发中间,研发职员以来自韩国(台湾)超一流团队,能够疾速按照客户利用范畴的特性来设想计划,壮大的研发平台,使得KIA在工艺制作、产物设想方面具有常识产权35项,并把握多项场效应管焦点制作手艺。自立研发已成了企业的焦点合作力。


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KIA半导体的产物涵盖产业、新动力、交通运输、绿色照明四大范畴,不只包含光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴动力,也触及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专一于产物的邃密化与改革,力图为客户供给最具行业抢先、品德上乘的科技产物。


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从设想研发到制作再到仓储物流,KIA半导体真正完成了一体化的办事链,真正做到了办事细节全到位的品牌内在,咱们努力于成为场效应管(MOSFET)功率器件范畴的领跑者,为了这个方针,KIA半导体正在延续立异,永不止步!


MOS管KIA50N06B可替换FQP50N06

MOS管KIA50N06B可替换FQP50N06,下文有KIA50N06B和FQP50N06两个MOS管型号的封装、参数及规格书材料概况。


MOS管KIA50N06B可替换FQP50N06-KIA50N06B材料详解

(一)MOS管KIA50N06B产物特点

1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

2、无铅绿色装配

3、下降导电消耗

4、高雪崩电流


(二)KIA50N06B首要参数

产物型号:KIA50N06B

任务体例:50A/60V

漏源极电压:60V

栅源电压:±25

脉冲泄电流:250A

雪崩电流:15A

雪崩能量:120MJ

漏源击穿电压:60V

栅电阻:1.0Ω

输入电容:2060pF

输入电容:755pF

反向转移电容:375pF


(三)KIA50N06B封装图


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(四)MOS管KIA50N06B规格书

检查及下载规格书,请点击下图。

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MOS管KIA50N06B可替换FQP50N06-FQP50N06材料详解


(一)FQP50N06参数


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(二)FQP50N06封装图


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(三)FQP50N06规格书

检查及下载规格书,请点击下图。


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