KIA6N70H规格书 MOS管原厂供给 收费送样 5.8A/700V-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-04-19
这类功率MOSFET是KIA半导体利用进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的，这个进步前辈的手艺是KIA出格定制，以削减对状况的抵当，供给优胜的开关机能好，能蒙受雪崩和切换形式下的高能量脉冲。该装配很是合适于高效力开关电源、有源功率因数校订，基于半桥拓扑。
RDS(on)typ =1.8Ω@VGS=10V
低栅电荷
高耐用性
疾速切换
雪崩测试100%
进步了dv/dt才能
型号：KIA6N70H
任务体例：5.8A/700V
漏源电压：700V
栅源电压:±30V
单脉冲雪崩能量:150MJ
雪崩电流:4.8A
反复雪崩能量:9.5MJ
峰值二极管规复dv/dt:4.5V/ns
漏源击穿电压:700V
输入电容：650pF
输入电容：95pF
反向转移电容：10pF
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