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MOS管参数大全

信息来历：本站　日期：2017-04-27　

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Mosfet参数意思说明 Features:


Vds：    DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能蒙受的最大电压
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻



Id：     最大DS电流.会随温度的增添而降落
Vgs:     最大GS电压.凡是为：-20V~+20V


Pd:      最大耗散功率

Tj:      最大功课结温，凡是为150度和175度

Tstg:    最大存储温度

Idm:     最大脉冲DS电流.会随温度的增添而降落，表现一个抗打击才干，跟脉冲时辰也有接洽

Iar:     雪崩电流

Ear:     反复雪崩击穿能量

BVdss：  DS击穿电压  Idss:    饱满DS电流，uA级的电流 Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量  Igss:    GS驱动电流，nA级的电流.

Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量

gfs:     跨导  Qg:      G总充电电量

Qgs:     GS充电电量

Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量

Qgd:     GD充电电量

Td(on):  导通推延时辰，从有输入电压回升到10%起头到Vds降落到其幅值90%的时辰


Tr:      回升时辰，输入电压 VDS 从 90% 降落到其幅值 10% 的时辰
Td(off): 关断推延时辰，输入电压降落到 90% 起头到 VDS 回升到其关断电压时 10% 的时辰


Ciss:    输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.

Tf:      降落时辰，输入电压 VDS 从 10% 回升到其幅值 90% 的时辰

Coss:    输入电容，Coss=Cds +Cgd.  Crss:    反向传输电容，Crss=Cgc.

接洽体例：邹师长教师

手机：18123972950

QQ：2880195519

接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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