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KIA半导体MOS管 KNX4760A 8A/600V原厂价钱推销 收费送样-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2019-04-17 

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MOS管,KNX4760A,8A/600V

MOS管 KNX4760A产物特点

专业立体新手艺

RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V

低栅极电荷使开关消耗最小化

快规复体二极管


MOS管 KNX4760A产物利用范畴

适配器充电器

SMPS电源

液晶面板电源


MOS管 KNX4760A封装


MOS管,KNX4760A,8A/600V


MOS管 KNX4760A 8A/600V首要参数

漏源电压:600V

栅源电压:±30V

持续泄电流:8.0A

单脉冲雪崩能量:580MJ

峰值二极管规复dv/dt:5.0V/ns

漏源击穿电压:600V

输入电容:1250pF

输入电容:110pF

反向转移电容:16pF

漏源二极管正向电压:1.5V

持续漏源电流:8A


MOS管 KNX4760A 8A/600V规格书

检查及下载规格书,请点击下图。


MOS管,KNX4760A,8A/600V



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