MOS管 KIA18N50H中文材料 18A/500V-MOS管封装 价钱 厂家-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-04-15
KIA18N50H 是N沟道加强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设想的。电压、高速功率开关利用，如高效开关电源，功率因数校订。
RDS(on)=0.25?@VGS=10V
低栅电荷
疾速切换才能
进步了dv/dt才能
任务体例：18A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲泄电流:72A
峰值二极管规复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：2500pF
输入电容：400pF
持续漏源电流：18A
检查及下载规格书，请点击下图。
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