国产高压MOS管专业制作-国产高压MOS管选型表|封装|价钱-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-03-28
深圳市可易亚半导体科技无限公司（简称KIA半导体）.是一家专业处置中、大、功率场效应管(MOSFET)、疾速规复二极管、三端稳压管开辟设想，集研发、出产和发卖为一体的国度高新手艺企业。
KIA半导体，已具有了自力的研发中间，研发职员以来自韩国(台湾)超一流团队，能够疾速按照客户操纵范畴的特性来设想计划，同时引进多台外洋进步前辈装备，营业含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、靠得住性尝试、体系阐发、生效阐发等范畴。
壮大的研发平台，使得KIA在工艺制作、产物设想方面具有常识产权35项，并把握多项场效应管焦点制作手艺。自立研发已成了企业的焦点协作力。
KIA半导体的产物涵盖产业、新动力、交通运输、绿色照明四大范畴，不只包含光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴动力，也触及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专一于产物的邃密化与改革，力图为客户供给最具行业抢先、品德上乘的科技产物。
专一于功率半导体开辟得根本，在2007年KIA在韩国浦项工科大学内具有了专业协作设想研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA领先胜利研最新型MOSFET系列产物，能够供给样品，和有多种封装SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封装是与国际一流封装厂家协作。
KIA半导体包装展现图：
（1）它是操纵大都载流子导电，是以它的温度不变性较好
（2）场效应管的输出端电流极小，是以它的输出电阻很大
（3）场效应管是电压节制器件，它经由过程VGS来节制ID
（4）它构成的缩小电路的电压缩小系数要小于三极管构成缩小电路的电压缩小系数
（5）场效应管的抗辐射能力强
（6）因为不存在混乱活动的少子分散引发的散粒噪声，以是噪声低
国产高压MOS管型号表以下：
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KIA6035A |
11 |
350 |
0.38 |
0.48 |
844 |
|
KNX4540A |
6 |
400 |
0.8 |
1 |
490 |
|
KNX6140A |
10 |
400 |
0.35 |
0.5 |
1254 |
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
|
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
|
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
KIA7N80H |
7 |
800 |
1.4 |
1.9 |
1300 |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
0.85 |
1.1 |
2230 |
|
KIA9N90S |
9 |
900 |
1.05 |
1.4 |
2780 |
|
KNL42150A |
2.8 |
1500 |
6.5 |
9 |
1500 |
1.电路设想的题目，便是让MOS督任务在线性的任务状况，而不是在开关状况。这也是致使MOS管发烧的一个缘由。若是N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，能力完整导通，P-MOS则相反。不完整翻开而压降过大造胜利率耗损，等效直流阻抗比拟大，压降增大，以是U*I也增大，消耗就象征着发烧。这是设想电路的最隐讳的毛病。
2.频次太高，首要是偶然过度寻求体积，致使频次进步，MOS管上的消耗增大了，以是发烧也加大了。
3.不做好充足的散热设想，电流太高，MOS管标称的电流值，普通须要杰出的散热能力到达。以是ID小于最大电流，也能够发烧严峻，须要充足的赞助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判定有误，MOS管内阻不充实斟酌，致使开关阻抗增大。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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