KIA品牌 MOS管原厂 KNX6165A 10A/650V规格书/封装-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-03-25
KNX6165A通道加强型硅栅功率MOSFET是为高压设想的。高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源，开关电源等。基于半桥拓扑的功率因数校订电子灯镇流器。
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、合适ROHS规范
3、低栅电荷最小开关消耗
4、疾速规复体二极管
产物型号：KNX6165A
任务体例：10A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±20V
泄电留连续：10A
脉冲漏极电流：40A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：216W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1554PF
输入电容：153PF
回升时候：31ns
检查规格书，请点击下图
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
