MOS管 KNX9130A替换IRFB4137 40A/300V规格书 内阻低-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-03-22
KIA半导体产物MOS管KNX9130A替换IRFB4137，KNX9130A比拟IRFB4137,KIA半导体场效应管有着雪崩打击低、低内阻等手艺上风。下文将会有KNX9130A和IRFB4137两个产物具体参数、封装、规格书。
KIA半导体也一向履行周全品德办理系统，是将一切产物品德从芯片设想起头，一向贯彻到客户利用的全进程品德跟踪和监控。咱们肯定在这一品德节制系统下出产的产物，在相干关键的品德状况和信息都是有用节制，确保供给给客户的产物是宁静靠得住的。下文将描写KNX9130A产物附件及首要参数概况。
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
专有的新立体手艺
低栅电荷最小开关消耗
疾速规复体二极管
型号：KNX9130A
任务体例：40A/300V
漏源极电压：250V
栅极到源极电压：±20V
持续泄电电流：40A
单脉冲雪崩能量:1250MJ
二极管峰值规复:5.0V/ns
漏源击穿电压:300V
二极管正向电压:1.5V
输入电容:3100pF
输入电容:250pF
反向传输电容:80pF
检查概况，请点击下图。
检查概况，请点击下图。
MOS管 KNX9130A替换IRFB4137的产物特点以下：
1、改良的雪崩和静态的dV/dt坚忍性
2、加强二极管dV/dt和dI/dt才能
3、无铅、合适RoHS规范
型号：IRFB4137
参数：38A/300V
封装：TO-220
脉冲泄电流：152A
最大功耗:341W
线性递加因子:2.3W/℃
栅极到源极电压：±20V
二极管峰值规复:8.9V/ns
漏源击穿电压:300V
栅极电阻:1.3Ω
检查规格书，请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
