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国产MOS管KIA3308A取代HY3008B产物规格书-国产原厂制作-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2019-03-11 

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KIA3308A取代HY3008B,国产MOS管

国产MOS管KIA3308A取代HY3008B

下文将会具体的先容国产MOS管KIA3308A和HY3008B两个产物的首要参数、封装、利用范畴等产物信息。KIA半导体是一家专业处置中、大、功率场效应管(MOSFET)、疾速规复二极管、三端稳压管开辟设想,集研发、出产和发卖为一体的国度高新手艺企业。


已具有了自力的研发中间,研发职员以来自韩国(台湾)超一流团队,能够疾速按照客户利用范畴的特性来设想计划,同时引进多台外洋进步前辈装备,营业含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、靠得住性尝试、体系阐发、生效阐发等范畴。

壮大的研发平台,使得KIA在工艺制作、产物设想方面具有常识产权35项,并把握多项场效应管焦点制作手艺。自立研发已成了企业的焦点合作力。

KIA3308A取代HY3008B,国产MOS管

从设想研发到制作再到仓储物流,KIA半导体真正完成了一体化的办事链,真正做到了办事细节全到位的品牌内在,咱们努力于成为场效应管(MOSFET)功率器件范畴的领跑者,为了这个方针,KIA半导体正在延续立异,永不止步!


国产MOS管KIA3308A产物特点

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

供给无铅环保装备

下降导电消耗的低RD值

高雪崩电流


国产MOS管KIA3308A利用范畴

电力供给

直流变更器


国产MOS管KIA3308A封装

KIA3308A取代HY3008B,国产MOS管


国产MOS管KIA3308A首要参数

型号:KIA3308A

电流:80A

电压:80V

漏源极电压:80V

栅源电压:±25

脉冲泄电流:340A

雪崩电流:20A

雪崩动力:410MJ


KIA3308A产物规格书

检查规格书,请点击下图。

KIA3308A取代HY3008B,国产MOS管


KIA3308A取代HY3008B-HY3008B产物首要参数

电流:100A

电压:80V

漏源极电压:80V

栅源电压:±25

二极管持续正向电流:100A

漏极击穿电压:80V

栅极电阻:1.0?


HY3008B封装图

KIA3308A取代HY3008B,国产MOS管


HY3008B产物规格书

检查规格书,请点击下图。

KIA3308A取代HY3008B,国产MOS管



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