场效应管发烧的缘由阐发及若何处置场效应管发烧题目-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-02-18
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。首要有两种范例（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由大都载流子到场导电，也称为单极型晶体管。它属于电压节制型半导体器件。具备输出电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、静态规模大、易于集成、不二次击穿景象、宁静任务地区宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的壮大合作者。
场效应管（FET）是操纵节制输出回路的电场效应来节制输出回路电流的一种半导体器件，并以此定名。因为它仅靠半导体中的大都载流子导电，又称单极型晶体管。
1、电路设想的题目，便是让MOS督任务在线性的任务状况，而不是在开关状况。这也是致使MOS管发烧的一个缘由。若是N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，能力完整导通，P-MOS则相反。不完整翻开而压降过大造胜利率耗损，等效直流阻抗比拟大，压降增大，以是U*I也增大，耗损就象征着发烧。这是设想电路的最隐讳的毛病；
2、频次太高，首要是偶然过度寻求体积，致使频次进步，MOS管上的耗损增大了，以是发烧也加大了；
3、不做好充足的散热设想，电流太高，MOS管标称的电流值，普通须要杰出的散热能力到达。以是ID小于最大电流，也可以或许或许发烧严峻，须要充足的赞助散热片；
4、MOS管的选型有误，对功率判定有误，MOS管内阻不充实斟酌，致使开关阻抗增大。
若是发明MOS管发烧很严峻，为了处置MOS管发烧题目，要精确判定是不是是这些缘由形成，最主要的是停止精确的测试，能力发明题目地点。经由进程此次处置这个MOS发烧题目，发明精确挑选关头点的测试，是不是和阐发的分歧，才是处置题目之关头。
在停止开关电源测试中，除用三用表丈量节制电路其余器件的引脚电压，比拟主要的是用示波器丈量相干的电压波形。当判定开关电源是不是任务普通，测试甚么处所能力反应出电源的任务状况，变压器原边和次级和输出反应是不是公道，开关MOS管是不是任务普通，PWM节制器输出端是不是普通，包含脉冲的幅度和占空比是不是普通，等等。
测试点的公道挑选很是主要，精确挑选既宁静靠得住丈量，又能反应毛病的缘由地点，敏捷查找出缘由。
阐发此次MOS管毛病的缘由，按照开关电源之前的所领会的，普通引发MOS管发烧的缘由是：
1：驱动频次太高。
2：G极驱动电压不够。
3：经由进程漏极和源极的Id电流太高。
是以测试重点放在MOS管上，精确测试它的任务状况，才是题目的底子。挑选测试点如图：
Q1为功率开关MOS管，A点为漏极，B点为源极，R为电流取样电阻，C点为接地端。把双踪示波器的两个探头别离接到A和B点，两个探头接地端同时卡住电阻R的接地端C处。
MOS管漏极测试A点波形
而从B点的波形可以或许或许看出，MOS管的源极电压波形，这个波形是取样电阻R上的电压波形，可以或许或许反应出漏极电流极为导通和停止时辰等信息，以下图阐发：
可以或许或许看出，每一个周期中，开关MOS管导通时，漏极电流从肇端到峰值电流的进程。
取样电阻R的B测试点电压波形
A和B点，这便是两个关头的测试点，根基上反应了开关电源的任务状况和毛病地点，导通的时辰的尖峰电压和尖峰电流很是大，若是可以或许或许将导通的尖峰电压和尖峰电流消弭，那末耗损能降一泰半，MOS发烧的题目就可以处置。固然也是发明MOS督任务普通与否的最间接反应。
经由进程测试成果阐发后，转变栅极驱动电阻阻值，挑选适合的频次，给MOS管完整导通缔造前提，MOS任务后有用的下降了尖峰电压，又挑选了内阻更小的MOS管，使在开关进程中管子自身的压降下降。同时公道挑选的散热器。颠末如许处置后，从头尝试，让全部电源普通任务后，加大负载到满负荷任务，MOS管发烧一直不跨越50°，应当是比拟抱负。
在用示波器测试进程中，要出格注重这两个测试点的波形，在慢慢降低输出电压的时辰，若是发明峰值电压或峰值电流跨越设想规模，并注重MOS管发烧环境，若是非常，应当立即封闭电源，查找缘由地点，避免MOS管破坏。
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