KIA35P10A替换CMD5950规格书 厂家直销-低内阻 雪崩打击小-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-12-26
KIA35P10A接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，供给良好的RDS（ON）和栅极。用于各类百般的利用中的电荷。KIA35P10A知足RoHS和绿色产物请求，100% EAS保障全功效靠得住性核准。
RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V
100% EAS保障
可用绿色装备
超低栅电荷
良好的CDV/DT效应降落
进步前辈的高密度沟槽手艺
产物型号：KIA35P10A
任务体例：-35A /-100V
漏源电压：-100V
栅源电压：±20V
泄电留持续：-35A
脉冲漏极电流：-100A
雪崩电流：28A
雪崩能量：345mJ
耗散功率：104W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：-100V
栅极阈值电压：-1.2V
输入电容：4920PF
输入电容：223PF
回升时候：32.2ns
检查概况，请点击下图。
CMD5950接纳进步前辈的沟槽手艺和设想，供给良好的低门电荷RDS（on），它可用于多种用处。
P沟道
低电阻
疾速切换100%
雪崩测试
漏源电压：-100 V
栅源电压：20V
持续泄电流：-35a
脉冲漏极电流：-105a
雪崩电流：- 35 A
总功耗：50w
贮存温度规模：- 55至150
任务结温度规模：150℃
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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QQ：2880195519
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