2N65H 2.0A/650V MOS管中文材料及封装-原厂直销 收费送样-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-12-24
此功率MOSFET是接纳KIA进步前辈的立体条纹DMOS工艺出产的。这进步前辈的手艺已特地针对最小化通态电阻，供给了优胜的开关机能好，在雪崩和整流形式下能蒙受高能量脉冲。这些合用于高效力开关电源，有功功率因数校订基于半桥拓扑。
RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V
低门电荷(典范的6.5nC)
高韧性
疾速切换
100%雪崩实验
改良的dv/dt才能
型号：KIA2N65H
电流：2.0A
电压:650V
漏源极电压:650V
泄电流脉冲:7.5A
栅源电压:±30V
单脉冲雪崩能：100MJ
反复雪崩能：4.2MJ
峰值二极管规复：4.5V/ns
检查概况，请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
