FDP51N25供给商-FDP51N25参数中文材料 货源不变 -KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-11-28
1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V
2、低栅极电荷（典范的55nC）
3、低Crss（典范的63PF）
4、疾速切换
5、100%雪崩实验
6、进步dv/dt才能
漏源极电压：250V
门源电压：±30V
单脉冲雪崩能：1111MJ
雪崩电流：51A
反复雪崩能量：32MJ
KIA半导体专业做场效应管10几年，一向是品德寻求，咱们产物都是颠末10几道工艺才制成制品。
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